[其他]半導(dǎo)體器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86106353 | 申請日： | 1986-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN86106353A | 公開（公告）日： | 1987-12-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 山岸英雄;近藤正隆;西村國夫;廣江昭彥;淺岡圭三;津下和永;太和田善久;山口美則 | 申請（專利權(quán)）人： | 鐘淵化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號： | H01L31/04 | 分類號： | H01L31/04;H10L25/02 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部 | 代理人： | 趙越 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 含非晶Pin或niP型半導(dǎo)體器件，其中至少一界面層是由電阻率高于鄰接界面層半導(dǎo)體的半導(dǎo)體或絕緣體制成。該界面層在半導(dǎo)體層間或在半導(dǎo)體和電極間；在P/i或n/i結(jié)界面處P型或n型層中摻雜量最小，在趨向于P/i電極結(jié)界面或n/i電極結(jié)界面方向上逐漸上升；或有較高雜質(zhì)密度P型半導(dǎo)體層和/或有較高雜質(zhì)密度的n型半導(dǎo)體層是在P型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層同側(cè)電極間，和/或在n型半導(dǎo)體層和n型半導(dǎo)體層同側(cè)電極間。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、一半導(dǎo)體器件包括一個(gè)含有非晶半導(dǎo)體Pin型層或niP型層及至少兩個(gè)電極，其特征在于，至少一個(gè)界面層是由半導(dǎo)體構(gòu)成，或由具有比鄰接界面層的半導(dǎo)體的電阻率高的半導(dǎo)體或絕緣體構(gòu)成，該界面層是處于半導(dǎo)體層之間或處于半導(dǎo)體和電極之間。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
