[其他]半導體器件

無效

• 申請號: 86106353
• 申請日: 1986-11-05
• 公開（公告）號: CN86106353A
• 公開（公告）日: 1987-12-02
• 發明（設計）人: 山岸英雄;近藤正隆;西村國夫;廣江昭彥;淺岡圭三;津下和永;太和田善久;山口美則
• 申請（專利權）人: 鐘淵化學工業株式會社
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H10L25/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 趙越

1、一半導體器件包括一個含有非晶半導體Pin型層或niP型層及至少兩個電極，其特征在于，至少一個界面層是由半導體構成，或由具有比鄰接界面層的半導體的電阻率高的半導體或絕緣體構成，該界面層是處于半導體層之間或處于半導體和電極之間。

2、根據權利要求1的器件，其中界面層是形成在P型半導體和i型半導體之間和/或形成在n型半導體和i型半導體之間。

3、根據權利要求1的器件，其中界面層形成在一種導電型的半導體和電極之間。

4、根據權利要求1的器件，其中的界面層是從Si₁-xCx：X：Y，Si₁-xNx：X：Y和Si₁-xOx：X：Y（其中x滿足O＜X＜1的關系;x是H、Cl、F或Br、Y是H、Cl、F或Br）的一族中選擇的。

5、根據權利要求1的器件，其中界面層是Si₁-xCx：H（其中x滿足0＜X＜1的關系）。

6、根據權利要求1的器件，其中界面層至少有一個是形成在與含有非晶半導體的P型層相鄰接。

7、根據權利要求1的器件，其中界面層形成在為P型和i型含有非晶的半導體層之間。

8、根據權利要求1到7的任何器件，其中界面層的厚度是10到500。

9、一半導體器件包括一個含有非晶半導體的Pin型層或niP型層和至少兩個電極，其特征在于，在P型或n型層中的摻雜量在P/i或n/i的結界面上最小，而在趨向于P/電極或n/電極的界面的方向上逐漸增加。

10、根據權利要求9的器件，其中至少P型層和n型層中之一是a-SiC：H層。

11、根據權利要求9的器件，其中至少P型層和n型層中之一是a-Si：H層。

12、根據權利要求9的器件，其中摻雜量在趨向于P/電極或n/電極的界面的方向上逐漸上升，在P型或n型層中的這部分離P/i或n/i的結界面至少有20厚。

13、根據權利要求9的器件，其中摻雜量在趨向于P/電極或n/電極的界面的方向上逐漸上升，在P型或n型層中的這部分離P/i或n/i的結界面至少有100厚。

14、根據權利要求9到11的任何一個器件，其中P型層中的摻雜劑是從B、Al、Ga、In和Tl的族中選取的元素。

15、根據權利要求9到11的任何一個器件，其中n型層中的摻雜劑是從N、P、As、Sb、Te和Po族中選取的元素。

16、一半導體器件包括含有非晶半導體的niP型層或Pin型層及至少兩個電極，其特征在于至少一個半導體層（1）與鄰接的半導體層（Ⅱ）是同一導電型，并具有較高的雜質密度，和處于半導體層（Ⅱ）和電極之間。

17、根據權利要求16的器件，其中的導電型是P型和/或是n型。

18、根據權利要求17的器件，其中半導體層（Ⅰ）的厚度是10到300。

19、根據權利要求15的器件，其中P型和/或n型半導體層（Ⅰ）包括-a-SiC：H。

20、根據權利要求17和19的任何一個器件，其中P型及或n型半導體（Ⅰ）層包括-a-Si。

21、根據權利要求17到19的任何一個器件，其中高摻雜密度的P型半導體層和n型半導體層（Ⅰ）的摻雜密度是半導體層（Ⅱ）的兩倍或更多倍。

22、根據權利要求17到19的任何一個器件，其中高摻雜密度的半導體層（Ⅰ）的摻雜密度是半導體層（Ⅱ）的4倍或更多倍。