[其他]光電型器件及其制造方法無效
| 申請號: | 86105984 | 申請日: | 1986-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN86105984A | 公開(公告)日: | 1987-04-29 |
| 發明(設計)人: | 邑田健治;岸靖雄 | 申請(專利權)人: | 三洋電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/04 | 分類號: | H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 肖春京,吳秉芬 |
| 地址: | 日本守口市*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 一種光電型器件,基片表面上有多個透明電極,這些電極分別連接多個光電轉換元上。在每個電極的一端上有一個導電體和一個絕緣體。在基片表面上還有一個非晶硅半導體光敏層,它覆蓋著透明電極,導電體和絕緣體。在半導體光敏層上有一個底電極,將激光束從底電極一側照射到絕緣體上,則使底電極及其下面的半導體光敏層的被照射部分斷開。從底電極側將激光束照射到導電體上,每個光電轉換元的底電極通過電體與相鄰的透光電極相連通。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 光電 器件 及其 制造 方法 | ||
【主權項】:
1、一種光電器件,其特征在于它包含有:一個具有絕緣表面的基片,若干個第一電極,它們形成在所述的基片的絕緣表面上,并分屬于各個光電轉換元,半導體光敏層,它形成在所述的基底的絕緣表面上并覆蓋著所述的第一電極。若干個導體,它們形成在第一電極之上并在半導體光敏層之下,由所述的第一電極之間的間隔限定的邊緣部分,若干個絕緣體,它們形成在靠近所述導體的地方。第三電極,它形成在所述的半導體光敏層上,而且,用能量束從所述的第二電極一側向所述的絕緣部位照射,由此將半導體光敏層和第二電極分斷開來以形成一個個的光電轉換元。用能量束從所述的第二電極一側向所述的導體部位照射,由此將每一光電轉換元的第二電極與相鄰的光電轉換元的第一電極進行連接。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





