[其他]光電型器件及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 86105984
• 申請(qǐng)日: 1986-08-07
• 公開（公告）號(hào): CN86105984A
• 公開（公告）日: 1987-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邑田健治;岸靖雄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三洋電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L31/04
• 分類號(hào): H01L31/04;H01L31/18
• 代理公司: 中國(guó)專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京,吳秉芬

1、一種光電器件，其特征在于它包含有：

一個(gè)具有絕緣表面的基片，

若干個(gè)第一電極，它們形成在所述的基片的絕緣表面上，并分屬于各個(gè)光電轉(zhuǎn)換元，

半導(dǎo)體光敏層，它形成在所述的基底的絕緣表面上并覆蓋著所述的第一電極。

若干個(gè)導(dǎo)體，它們形成在第一電極之上并在半導(dǎo)體光敏層之下，由所述的第一電極之間的間隔限定的邊緣部分，

若干個(gè)絕緣體，它們形成在靠近所述導(dǎo)體的地方。

第三電極，它形成在所述的半導(dǎo)體光敏層上，

而且，

用能量束從所述的第二電極一側(cè)向所述的絕緣部位照射，由此將半導(dǎo)體光敏層和第二電極分?jǐn)嚅_來以形成一個(gè)個(gè)的光電轉(zhuǎn)換元。

用能量束從所述的第二電極一側(cè)向所述的導(dǎo)體部位照射，由此將每一光電轉(zhuǎn)換元的第二電極與相鄰的光電轉(zhuǎn)換元的第一電極進(jìn)行連接。

2、一種如權(quán)利要求1所述的光電器件，其特征在于所述的導(dǎo)體是沿第一電極長(zhǎng)度方向延伸而成的，其端部位于第一電極在長(zhǎng)度方向的兩端端頭的內(nèi)側(cè)。

3、一種如權(quán)利要求1所述的光電器件，其特征在于所述的絕緣體是沿第一電極長(zhǎng)度方向延伸而成的，其端部位于第一電極在長(zhǎng)度方向的兩端端頭的外側(cè)。

4、一種如權(quán)利要求1所述的光電器件，其特征在于所述的導(dǎo)體和絕緣體是分別沿第一電極長(zhǎng)度方向延伸而成的。

5、一種如權(quán)利要求4所述的光電器件，其特征在于所述的導(dǎo)體和絕緣體在所述的光電轉(zhuǎn)換器的寬度方向上是彼此分離，并且是彼此平行的。

6、一種如權(quán)利要求4所述的光電器件，其特征在于所述的導(dǎo)體和絕緣體是彼此相接觸的。

7、一種如權(quán)利要求4所述的光電器件，其特征在于所述的絕緣體是以?shī)A住導(dǎo)體的方式形成的。

8、一種如權(quán)利要求7所述的光電器件，其特征在于所述的夾住導(dǎo)體的絕緣體之一是在各第一電極之間的間隔部位形成的。

9、一種如權(quán)利要求1所述的光電器件，其特征在于所述的導(dǎo)體是用熔結(jié)導(dǎo)電的膏狀物形成的。

10、一種如權(quán)利要求1所述的光電器件，其特征在于所述的絕緣體是用熔結(jié)絕緣的膏狀物形成的。

11、一種制造所述的光電器件的方法，其特征在于它的制造工序包括：

（a）、制備具有絕緣表面的基片，

（b）、在所述的基片的絕緣表面上形成一系列分屬于各個(gè)光電轉(zhuǎn)換元的第一電極。

（c）、在所述的基片的絕緣表面上，用覆蓋住各個(gè)第一電極的方式形成一層連續(xù)到各個(gè)光電轉(zhuǎn)換元的半導(dǎo)體光敏層。

（d）、在所述的半導(dǎo)體光敏層上形成連續(xù)到各光電轉(zhuǎn)換元的第二電極。

（e）、在所述的第二電極之下，或在由第一電極之間的間隔限定的一個(gè)邊緣部分的附近，形成導(dǎo)體。

（f）、在相鄰于所述的導(dǎo)體的所述的第二電極之下形成絕緣體。

（g）、采用使能量束從第二電極一側(cè)向絕緣部分照射的方法，將半導(dǎo)體光敏層和第二電極分?jǐn)嚅_，以形成一個(gè)個(gè)的光電轉(zhuǎn)換元。

（h）、采用使能量束從第二電極一側(cè)向?qū)w部分照射的方法，在一光電轉(zhuǎn)換元的第二電極與相鄰的光電轉(zhuǎn)換元的第一電極之間，通過所述的導(dǎo)體，形成連接。

12、一種如權(quán)利要求11所述的制造光電器件的方法，其特征在于所述的工序（e）還包括有一個(gè)在第一電極之下形成導(dǎo)體的工序。

13、一種如權(quán)利要求12所述的制造光電器件的方法，其特征在于所述的工序（b）還包括有下述工序，在所述基片的絕緣表面上預(yù)定位置處形成導(dǎo)體之后，分?jǐn)嗨龅牡谝浑姌O以形成相應(yīng)的一個(gè)個(gè)的光電轉(zhuǎn)換元。

14、一種如權(quán)利要求11所述的制造光電器件的方法，其特征在于所述的工序（f）還包括有一個(gè)在所述的半導(dǎo)體光敏層之下形成導(dǎo)體的工序。

15、一種如權(quán)利要求14所述的制造光電器件的方法，其特征在于所述的工序（c）還包括一個(gè)在所述的導(dǎo)體已經(jīng)形成之后再形成半導(dǎo)體光敏層的工序。