[其他]半導體激光器無效
| 申請號： | 86105580 | 申請日： | 1986-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN86105580A | 公開（公告）日： | 1987-01-21 |
| 發明（設計）人： | 茅根直樹;魚見和久;福澤董;松枝秀明;梶村俊 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | H01S3/18 | 分類號： | H01S3/18 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 趙蓉民 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 在一個眾所周知的半導體激光器內，由各自厚度均小于電子的德布羅意波長的阻擋層和激活層或勢井層所組成的一種多量子井型激活層被摻入一種雜質，而且在阻擋層內所形成的雜質密度高于勢井層中的密度。在多量子井激活層被包圍在P-型和n-型敷層之間的情況下，勢井層不進行摻雜，位于與勢井層相接觸的阻擋層部分也不進行摻雜，使接近P-型敷層的其余阻擋層部分成為n-型電導率，同時，使靠近n-型敷層的阻擋層部分成為P-型電導率。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體激光器 | ||
【主權項】：
1、在一個半導體激光器中，其中半導體層被生長在一個半導體襯底上，該半導體層至少包含有一個敷層和一個或多個激活層，它是與一個或多個阻擋層或一個多量子井型激活層伴隨在一起進行沉積的，在量子井型激活層中，一個勢井層和一個阻擋層交替沉積，而且在那里，激活層的厚度小于晶體內自由電子的波包，這種半導體激光器的特點是上述激活層摻有一種雜質。
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