[其他]半導體激光器

無效

• 申請號: 86105580
• 申請日: 1986-07-25
• 公開（公告）號: CN86105580A
• 公開（公告）日: 1987-01-21
• 發明（設計）人: 茅根直樹;魚見和久;福澤董;松枝秀明;梶村俊
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: H01S3/18
• 分類號: H01S3/18
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 趙蓉民

1、在一個半導體激光器中，其中半導體層被生長在一個半導體襯底上，該半導體層至少包含有一個敷層和一個或多個激活層，它是與一個或多個阻擋層或一個多量子井型激活層伴隨在一起進行沉積的，在量子井型激活層中，一個勢井層和一個阻擋層交替沉積，而且在那里，激活層的厚度小于晶體內自由電子的波包，這種半導體激光器的特點是上述激活層摻有一種雜質。

2、根據權項1的一種半導體激光器，其中所說的雜質是一種受體。

3、根據權項1的一種半導體激光器，在那里，用所說的雜質對所說的多量子井型激活層進行摻雜，所說的阻擋層的雜質密度高于所說的勢井層（激活層）的雜質密度。

4、在一個半導體激光器中，其中在一個半導體襯底上所生成的許多半導體層包含有一個多量子井激活層和P-型及n-型阻擋層，在該多量子井激活層內，厚度都小于電子的德布羅意（de??Broglie）波長的每一個勢井層與帶隙小于勢井層帶隙的阻擋層交替進行沉積，所形成的P-型和n-型阻擋層之間可以容納多量子井層，而且這里的每個阻擋層的帶隙都大于勢井層的帶隙;半導體激光器的特點是，組成所述的多量子井激活層的各相應層的電導率類型空間上在所述多量子井激活層的一個沉積方向上是不同的。

5、根據權項4的一種半導體激光器，其中在上述的多量子井激活層中，至少有一組與所述的P-型敷層順序鄰接的勢井層和阻擋層具有n-型電導率，而上述的多量子井激活層的其它區域則具有P-型電導率。

6、根據權項4的一種半導體激光器，其中在上述的多量子井激活層內，至少有一個與所說的P-型敷層順序鄰接的阻擋層具有n-型電導率，上述的多量子井激活層的其它區域內的阻擋層具有P-型電導率，而且所述的全部勢井層均未進行摻雜。

7、根據權項4的一種半導體激光器，其中在所述的多量子井激活層內，至少有一個與所述的P-型敷層順序鄰接的阻擋層具有n-型電導率，但是至少有一個位于與勢井層相接觸的界面一側的原子層未進行摻雜;上述多量子井激活層的其它區域內的阻擋層具有P-型電導率，但是至少有一個位于與勢井層相接觸的原子層來進行摻雜;而且所述的余部勢井層沒有進行摻雜。

8、根據權項4的一種半導體激光器，其中所說的阻擋層在位于與所述的勢井層相接觸的一側至少有一個原子層來進行摻雜，并且在其它區域內具有P-型電導率，所述的勢井層沒有進行摻雜。

9、根據權項4-8的任一項的一種半導體激光器，其中P-型雜質是Be或Mg，n-型雜質是Se或Si，而且雜質濃度至少為5×10¹⁷（cm^-3）。