[其他]制造氮化硅粉末的方法無效
| 申請號： | 86104331 | 申請日： | 1986-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN86104331A | 公開（公告）日： | 1987-01-21 |
| 發明（設計）人： | 上∴聰;船橋敏彥;內村良治;小口征男 | 申請（專利權）人： | 川崎制鐵株式會社 |
| 主分類號： | C01B21/068 | 分類號： | C01B21/068 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 羅英銘,陳季壯 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 公開了一種制造β-Si3N4含量高，具有細粒和均勻粒度的氮化硅粉末的方法。該方法包括把SiO粉末和C粉末，如果需要的話，還有Si粉末，和/或Si3N4的粉末一起混合，然后放在N2分壓不低于2個大氣壓的一種氮化氣氛中，在1,400-1,800℃溫度下進行灼燒。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 制造 氮化 粉末 方法 | ||
【主權項】：
1、生產氮化粉末硅的一種方法，該方法包括將SiO粉末與一種含碳的材料混合，然后將生成的混合物放在氮氣的分壓力不低于2個大氣壓的一種氮化氣氛中在1，400-1，800℃的溫度下進行灼燒。
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