[其他]硅圓片的加強材料無效
| 申請號： | 86103467 | 申請日： | 1986-05-17 |
| 公開（公告）號： | CN86103467B | 公開（公告）日： | 1988-09-14 |
| 發明（設計）人： | 布賴恩·李·科里 | 申請（專利權）人： | 特克特朗尼公司 |
| 主分類號： | H01L21/30 | 分類號： | H01L21/30;H01L29/76 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 吳秉芬,李先春 |
| 地址： | 美國俄勒岡州·比*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 一個要減薄的硅物體的加強做法，是在其一個正表面形成一層機械支承鍍層；這層呈精細分開形狀的鍍層粘附于該正表面，含有至少18％重量的硅。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 硅圓片 加強 材料 | ||
【主權項】：
1.一種加強板狀硅體的方法，在硅體的表面加有一層由至少40％重量硅石的玻璃材料組成的鍍層，其特征在于，所說玻璃材料呈精細分開狀態，將此鍍層材料加工成一層粘附在硅體上的堅固的機械支承物。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
