[其他]硅圓片的加強材料無效
| 申請號: | 86103467 | 申請日: | 1986-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN86103467B | 公開(公告)日: | 1988-09-14 |
| 發明(設計)人: | 布賴恩·李·科里 | 申請(專利權)人: | 特克特朗尼公司 |
| 主分類號: | H01L21/30 | 分類號: | H01L21/30;H01L29/76 |
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 吳秉芬,李先春 |
| 地址: | 美國俄勒岡州·比*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅圓片 加強 材料 | ||
1、一種加強板狀硅體的方法,在硅體的表面加有一層由至少40%重量硅石的玻璃材料組成的鍍層,其特征在于,所說玻璃材料呈精細分開狀態,將此鍍層材料加工成一層粘附在硅體上的堅固的機械支承物。
2、一根據權利要求1的方法,其特征在于,所述玻璃材料是硼硅玻璃,加工鍍層方法為熔融玻璃。
3、一種加強板狀硅體的方法,在硅體上注以一層以硅石為基底的玻璃鍍層材料,其特征在于,在上述鍍層材料中硅的重量至少占18%,將此材料呈精細分開狀態加在物體的表面上,并將它加工成一層粘附在上述表面的堅固的機械支承物。
4、一根據權利要求3的方法,其特征在于,所說的玻璃鍍層材料是硼硅玻璃,而加工鍍層材料的方法包含將該玻璃烘烤。
5、一種加強板狀硅體的方法,在硅體的一個表面帶有金屬和二氧化硅的圖案,此方法其特征包括:提供一種精細分開的含有至少18%重量硅的玻璃材料,它能在低于上述金屬的熔點下熔融,以浸潤上述金屬和二氧化硅這兩種物體,而且在冷卻時形成一種堅固均勻物粘附在上述金屬和二氧化硅這兩種物體上;在低于上述金屬的熔點溫度下熔化精細分開的材料;以及使物體和熔化的材料冷卻。
6、一種不必介入焊接劑而直接在其表面粘附一由硼硅玻璃材料制成的機械支承鍍層的硅體,其特征在于,所述材料是一種可熔的材料,而其作為組成部分,硅成分重量至少占18%。
7、一種減薄板狀硅體的方法,在硅體的一個主要面上形成有一由硼硅玻璃材料組成的鍍層,其特征在于,鍍層中硅的重量至少占18%,而且呈精細分開形狀,將鍍層材料熔化以構成與上述硅體直接粘附的機械支承鍍層,以及從物體的主要面的對面減薄硅體。
8、一種減薄板狀硅體的方法,硅體具有一層粘附于其一個主要面的難熔金屬,其特征在于,此法包括將精細分開的以硅石為基底的玻璃鍍層覆蓋在上述難熔金屬層上,在低于難熔金屬的熔點下熔化鍍層材料,以便制成的機械支承鍍層直接粘附于難熔金屬,以及從硅體的主要面的反面減薄硅體。
9、一種按權利要求8的方法,其特征在于,所說的以硅石為基底的玻璃材料是硼硅玻璃,含有40%重量的硅石。
10、一種按權利要求8的方法,其特征在于,所說的鍍層呈糊狀物。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





