[其他]半導體器件及其制造方法無效

申請號：	86102691	申請日：	1986-04-19
公開（公告）號：	CN86102691A	公開（公告）日：	1986-12-17
發明（設計）人：	田端輝夫	申請（專利權）人：	三洋電機株式會社;東京三洋電機株式會社
主分類號：	H01L21/72	分類號：	H01L21/72;H01L21/04;H01L27/04;H01L29/72
代理公司：	中國國際貿易促進委員會專利代理部	代理人：	王以平
地址：	日本大阪***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：	本發明涉及一種半導體器件及其制造方法。其中，雙隔離擴散區的下擴散層加在襯底表面上，在該下擴散層上形成外延層。該層主要朝上向外擴散入外延層，同時從外延層表面深擴散一元件擴散區，然后淺擴散雙隔離擴散區的上擴散層，由此抑制上擴散層的橫向延伸，改善集成度。本發明器件中雙隔離擴散區、集電區、基區及發射區都形成在外延層寬度內。該器件的基區寬度起伏減少，過渡頻率fT和電流增益hFE得到提高。
搜索關鍵詞：	半導體器件及其制造方法
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【主權項】：

1、制造半導體集成電路的一種方法，它包括下列工藝過程：在另一種導電類型的半導體襯底表面的一個區域(此處將要制做一個元件)上形成一種導電類型埋層，以及在半導體襯底表面上形成的上述埋層周圍的一個區域上形成另一種導電類型的雙隔離擴散區的下擴散層的工藝過程；在上述襯底表面上形成一種導電類型外延層的工藝過程；在上述外延層中朝上向外擴散上述埋層及上述雙隔離擴散區的下擴散層的工藝過程；由上述外延層的表面擴散形成另一種導電類型的雙隔離擴散區的上擴散層。使之延伸到上述下擴散層上的工藝過程；在由上述雙隔離擴散區圍繞的孤立區中擴散形成所需的元件擴散區以形成半導體元件的工藝過程。

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