[其他]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 86102691
• 申請日: 1986-04-19
• 公開（公告）號: CN86102691A
• 公開（公告）日: 1986-12-17
• 發明（設計）人: 田端輝夫
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社;東京三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L21/72
• 分類號: H01L21/72;H01L21/04;H01L27/04;H01L29/72
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 王以平

1、制造半導體集成電路的一種方法，它包括下列工藝過程：

在另一種導電類型的半導體襯底表面的一個區域(此處將要制做一個元件)上形成一種導電類型埋層，以及在半導體襯底表面上形成的上述埋層周圍的一個區域上形成另一種導電類型的雙隔離擴散區的下擴散層的工藝過程；

在上述襯底表面上形成一種導電類型外延層的工藝過程；

在上述外延層中朝上向外擴散上述埋層及上述雙隔離擴散區的下擴散層的工藝過程；

由上述外延層的表面擴散形成另一種導電類型的雙隔離擴散區的上擴散層。使之延伸到上述下擴散層上的工藝過程；

在由上述雙隔離擴散區圍繞的孤立區中擴散形成所需的元件擴散區以形成半導體元件的工藝過程。

2、如權利要求1所述的一種制造半導體集成電路的方法，其中上述上擴散層的厚度小于上述下擴散層的厚度。

3、制造半導體集成電路的一種方法，它包括下列工藝過程：

在另一種導電類型的半導體襯底表面的一個區域（此外將要制做一個元件）上形成一種導電類型埋層，以及在半導體襯底表面上形成的上述埋層周圍的一個區域上形成另一種導電類型的雙隔離擴散區的下擴散層的工藝過程;

在上述襯底表面上形成一種導電類型外延層的工藝過程;

在上述外延層中朝上向外擴散上述埋層及上述雙隔離擴散區的下擴散層，以及同時從上述外延層的表面擴散元件擴散區的工藝過程;

由上述外延層的表面擴散另一種導電類型的雙隔離擴散區的上擴散層，使之延伸到上述下擴散層上的工藝過程，上述上擴散層的厚度小于上述元件擴散區的厚度。

4、如權利要求3所述的一種制造半導體集成電路的工藝過程，其中上述上擴散層的厚度小于上述下擴散層的厚度。

5、制造半導體集成電路的一種方法，它包括下列工藝過程：

在另一種導電類型的半導體襯底表面的一個區域（此處將要制做一個元件）上形成一種導電類型埋層，以及在上述埋層上形成另一種導電類型的集電區埋層，同時在上述埋層周圍的區域上形成另一種導電類型的雙隔離擴散區的下擴散層的工藝過程;

在上述襯底表面形成一種導電類型的外延層的工藝過程;

在上述外延層中朝上向外擴散上述埋層，上述集電區埋層及上述下擴散層的工藝過程;

從上述外延層的表面注入另一種導電類型的雜質離子，然后使雜質離子擴散。延伸到上述集電區埋層，以形成集電區的工藝過程;

把一種導電類型的雜質離子注入上述集電區的表面，然后進行擴散形成基區的工藝過程;

從上述外延層的表面擴散另一種導電類型的雙隔離擴散區的上擴散層，使之延伸到上述下擴散層上的工藝過程;

在上述基區表面上擴散另一種導電類型的雜質以形成一個發射區的工藝過程;

上述上擴散層的厚度小于上述集電區的厚度。

6、如權利要求5所述的制造半導體集成電路的一種方法，其中上述上擴散層的厚度小于上述下擴散層的厚度。

7、如權利要求5所述的制造半導體集成電路的一種方法，其中，上述埋層、上述集電區埋層、上述下擴散層及上述集電區同時進行擴散。

8、如權利要求5所述的制造半導體集成電路的一種方法，其中，上述基區和上述上擴散層同時進行擴散。

9、制造縱向晶體管的一種方法，它包括下列工藝過程：

在另一種導電類型的半導體襯底表面的一個區域（此處將要制做一個元件）上形成一種導電類型埋層，以及在上述埋層上形成另一種導電類型的集電區埋層的工藝過程;

在上述襯底表面形成一種導電類型的外延層的工藝過程;

從上述外延層的表面注入另一種導電類型雜質離子并進行擴散使之延伸到上述集電區埋層處，以形成集電區的工藝過程;

從上述集電區表面注入一種導電類型的雜質離子，然后進行擴散以形成基區的工藝過程。

在上述基區表面擴散另一種導電類型的雜質以形成發射區的工藝過程;