[其他]半導(dǎo)體器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86101884 | 申請日： | 1986-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN86101884A | 公開（公告）日： | 1986-11-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 彼得·丹尼斯·斯科維爾;彼得·夫里德·布洛姆利;羅格·萊斯利·巴克;加里·約翰·托姆金斯 | 申請（專利權(quán)）人： | ITT工業(yè)公司 |
| 主分類號： | H01L21/18 | 分類號： | H01L21/18;H01L29/72 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 趙越 |
| 地址： | 美國紐約*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種全自對準的多晶硅發(fā)射極雙極晶體管。用發(fā)射極臺面(7)的氧化側(cè)壁(8)(側(cè)壁隔離層)作為P+基極接觸注入的掩膜，可實現(xiàn)P+基極接觸(12)的自對準。采用與發(fā)射極臺面(7)相同的多晶硅所確定的多晶硅對準臺面(14)的氧化側(cè)壁(17)，可獲得收集極接觸(13)的對準，但對準臺面是淀積在氧化物(2)上，而不是淀積在被注入的基區(qū)(5)之上。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 | ||
【主權(quán)項】：
1、制造雙極晶體管的方法包括如下步驟；在未氧化的安排于半導(dǎo)體襯底之中的基區(qū)表面上確定多晶硅發(fā)射極臺面；對臺面的側(cè)壁和露出的未氧化的基區(qū)表面進行氧化；至少使用了臺面的一個氧化的側(cè)壁作為注入掩模，將基極接觸區(qū)注入到襯底，以便與基區(qū)接觸，從而基極接觸區(qū)是與發(fā)射極自行對準的。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
