[其他]半導體器件

無效

• 申請號: 86101884
• 申請日: 1986-03-22
• 公開（公告）號: CN86101884A
• 公開（公告）日: 1986-11-12
• 發明（設計）人: 彼得·丹尼斯·斯科維爾;彼得·夫里德·布洛姆利;羅格·萊斯利·巴克;加里·約翰·托姆金斯
• 申請（專利權）人: ITT工業公司
• 主分類號: H01L21/18
• 分類號: H01L21/18;H01L29/72
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 趙越

1、制造雙極晶體管的方法包括如下步驟；在未氧化的安排于半導體襯底之中的基區表面上確定多晶硅發射極臺面；對臺面的側壁和露出的未氧化的基區表面進行氧化；至少使用了臺面的一個氧化的側壁作為注入掩模，將基極接觸區注入到襯底，以便與基區接觸，從而基極接觸區是與發射極自行對準的。

2、根據權利要求1的方法，其中基區是穿過一安排在其上的氧化層，通過掩模層的窗口注入到襯底的，然后去掉被窗口露出的氧化層。

3、根據權利要求2的方法，其中臺面是由多晶硅層確定的，多晶硅層是在去掉被由窗口露出氧化層之后，淀積到襯底上的。

4、根據權利要求3的方法，其中臺面的確定包括合適的掩蔽多晶硅層和干法腐蝕。

5、根據權利要求3或權利要求4的方法，進一步包括如下工藝步驟;從上述的多晶硅層至少確定一個多晶硅接觸對準臺面的步驟，其對準臺面是置于氧化層之上的，其對準臺面的側壁在上述的氧化步驟中被氧化，包括使用對準臺面的至少一個氧化的側壁作為注入掩膜，將收集極接觸區注入到襯底的步驟，因而，發射極和收集極接觸的間隔是由對準臺面確定的。

6、基本上參照圖1到圖6或附加或不加圖7的附圖所描述的雙極晶體管的制造方法。

7、根據上述權利要求的任何一個方法所制造的雙極晶體管。

8、一種雙極晶體管，它包括與基區接觸的多晶硅發射極臺面，基極接觸，及在制造晶體管之中作為基極接觸自對準使用的發射極的氧化鍘壁。

9、根據權利要求8的雙極晶體管，其中發射極基本上被置于基區表面中心并包括置于發射極兩個相對側的兩個基極接觸區，并分別由發射極氧化側壁與其自對準。

10、根據權利要求8或權利要求9的雙極晶體管，其中基區是置于襯底表面區的，并包括收集極到襯底的接觸。

11、根據權利要求10的雙極晶體管包括與發射臺面間隔開的，并確定發射極和收集極接觸之間的距離的多晶硅對準臺面。

12、基本上參照圖1到圖6或附加或不加圖7的附圖所描述的雙極晶體管。