[其他]帶有埋置絕緣氧化物區的金屬氧化物半導體晶體管制作方法無效

申請號：	86101350	申請日：	1986-03-07
公開（公告）號：	CN86101350A	公開（公告）日：	1987-05-13
發明（設計）人：	威廉·貝格;丁秋先;蕭邦;J·C-鄭	申請（專利權）人：	英特爾公司
主分類號：	H01L21/18	分類號：	H01L21/18
代理公司：	中國專利代理有限公司	代理人：	肖春京,杜有文
地址：	美國加利***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：	制作與埋置氧化物區自對準的場效應器件的MOS工藝。在由掩膜部分確定了柵之后，與掩膜部分相對準而進行氧注入。掩膜部分阻擋了氧注入，因而由此制出的晶體管的溝道區同埋置氧化層中的窗口相自對準。
搜索關鍵詞：	帶有絕緣氧化物金屬半導體晶體管制作方法
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【主權項】：

1、在硅基片上制作晶體管的方法，其特征在于它包括下列步驟：在所述基片上制出柵部分，所述柵部分為掩膜部分所覆蓋；對所述基片進行離子注入，注入的離子同所述硅結合而形成絕緣區，所述柵部分和所述掩膜部分阻擋了所述注入到達所述基片，從而在所述基片中形成與所述柵部分相對準的埋置絕緣區；在所述基片中制出與所述柵部分相對準的源和漏區，從而在帶有絕緣區的所述基片中制出晶體管。

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