[其他]帶有埋置絕緣氧化物區的金屬氧化物半導體晶體管制作方法

無效

• 申請號: 86101350
• 申請日: 1986-03-07
• 公開（公告）號: CN86101350A
• 公開（公告）日: 1987-05-13
• 發明（設計）人: 威廉·貝格;丁秋先;蕭邦;J·C-鄭
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/18
• 分類號: H01L21/18
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京,杜有文

1、在硅基片上制作晶體管的方法，其特征在于它包括下列步驟：

在所述基片上制出柵部分，所述柵部分為掩膜部分所覆蓋；

對所述基片進行離子注入，注入的離子同所述硅結合而形成絕緣區，所述柵部分和所述掩膜部分阻擋了所述注入到達所述基片，從而在所述基片中形成與所述柵部分相對準的埋置絕緣區；

在所述基片中制出與所述柵部分相對準的源和漏區，

從而在帶有絕緣區的所述基片中制出晶體管。

2、根據權利要求1確定的方法，其特征在于所述離子是氧離子。

3、根據權利要求1確定的方法，其特征在于所述柵部分包括多晶硅且所述掩膜部分包括光致抗蝕劑。

4、根據權利要求1確定的方法，其特征在于所述柵部分和掩膜部分包括多晶硅。

5、根據權利要求2確定的方法，其特征在于在所述注入之后采用退火步驟以制出埋置二氧化硅層。

6、根據權利要求5確定的方法，其特征在于所述退火步驟在存在不活潑氣體的情況下進行。

7、在硅基片上制作晶體管的工藝，其特征在于包括下列步驟：

在所述基片的預定部位上制出掩膜部分;

對所述基片進行離子注入，注入離子同所述硅結合形成絕緣體，所述注入受到所述掩膜部分的阻擋，從而形成具有與所述掩膜部分相對準的窗口的埋置絕緣層;

所述掩膜部分的所述部位被用作柵部分的部位，所述柵部分與所述絕緣層中的所述窗口相對準;

在所述基片中制出與所述柵部分相對準的源和漏區，

從而在帶有埋置絕緣層的所述基片中制出晶體管。

8、根據權利要求7的工藝，其特征在于所述離子包括氧離子。

9、根據權利要求7的工藝，其特征在于所述制出掩膜部分的步驟包括在所述基片上制出二氧化硅層，在所述絕緣層上方制出多晶硅柵部分，各所述柵部分在絕緣層都被掩膜所覆蓋，所述掩膜厚得足以阻止所述離子穿透所述多晶硅柵部分。

10、根據權利要求8或9的工藝，包括在所述注入之后對所述基片進行退火以形成包括二氧化硅的所述埋置絕緣層的步驟。

11、根據權利要求10的工藝，其特征在于所述退火是在存在不活潑氣體的情況下進行的。

12、根據權利要求7的方法，其特征在于所述掩膜部分包括多晶硅。

13、在硅基片上制作晶體管的方法，其特征在于包括下列步驟：

在所述基片上制出絕緣層;

在所述絕緣層上面制出多晶硅層;

在所述多晶硅層上面確定多個掩膜部分;

由所述多晶硅層制出多個與所述掩膜部分相對準的柵部分;

使所述基片受到離子注入，所注入的離子同所述硅結合形成位于所述硅基片的表面之下的絕緣區，所述掩膜部分厚得足以阻擋所述離子到達所述多晶硅柵部分;

對所述基片進行退火在所述基片中由所述離子和所述硅形成埋置絕緣區，所述絕緣區包括與所述柵部分相對準而制成的窗口;

在所述基片中與所述柵部分相對準而制出源和漏極，

從而在所述基片中制出晶體管。

14、根據權利要求13確定的工藝，其特征在于所述離子是氧離子。

15、根據權利要求14確定的工藝，其特征在于所述掩膜部分包括硬化光致抗蝕劑。

16、根據權利要求14確定的工藝，其特征在于所述掩膜部分包括多晶硅。

17、根據權利要求14確定的工藝，其特征在于所述掩膜部分包括氮化硅。

18、根據權利要求14確定的方法，其特征在于所述掩膜部分包括高溶點金屬。