[其他]雙極晶體管無效
| 申請號： | 86100522 | 申請日： | 1986-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN86100522A | 公開（公告）日： | 1986-09-10 |
| 發明（設計）人： | 西井雅晴;栗原一夫 | 申請（專利權）人： | 三洋電機株式會社;東京三洋電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/72 | 分類號： | H01L29/72 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 馬連富,許新根 |
| 地址： | 日本大阪府守*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 島區16上所形成的雙極晶體管的hFE值由發射極區20和第1基極區18的雜質濃度與基極寬度B所決定。因此用同一制造工藝擴散第1基極區18及發射極區20時，各晶體管的hFE值大致相等。本發明為調整晶體管的hFE值設置了第2基極區23。部分第2基極區23與發射極區20相重疊并做得比第1基極區18要深。這樣，通過第2基極區23使基極寬度B′增大，可使hFE值變小。同時通過選擇發射極區20與第2基極區23的重疊量使hFE的值進行變化。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 雙極晶體管 | ||
【主權項】：
1、一種雙極晶體管，它包括一個在第1導電型半導體基片上形成的第1導電型和反向導電型的第2導電型的外延層，一個把該外延層分離為島狀所形成的島區，一個在該島區表面層形成上下二層的第1導電型的第1基極區和第2導電型的發射極區；其特征在于它具有一個比所述第1基極區更深的第2基極區，該第2基極區與所述發射極區部分重疊，通過選擇所述第2基極區和所述發射極區的重疊量為所定的量使雙極晶體管具有所需的hFE值。
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