[其他]雙極晶體管

無效

• 申請號: 86100522
• 申請日: 1986-03-07
• 公開（公告）號: CN86100522A
• 公開（公告）日: 1986-09-10
• 發明（設計）人: 西井雅晴;栗原一夫
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社;東京三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L29/72
• 分類號: H01L29/72
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 馬連富,許新根

1、一種雙極晶體管，它包括一個在第1導電型半導體基片上形成的第1導電型和反向導電型的第2導電型的外延層，一個把該外延層分離為島狀所形成的島區，一個在該島區表面層形成上下二層的第1導電型的第1基極區和第2導電型的發射極區；其特征在于它具有一個比所述第1基極區更深的第2基極區，該第2基極區與所述發射極區部分重疊，通過選擇所述第2基極區和所述發射極區的重疊量為所定的量使雙極晶體管具有所需的hFE值。

2、根據權利要求1所述的雙極晶體管，其特征在于所述第2基極區在所述第1基極區周圍部分制造成呈環形平面形狀。

3、根據權利要求2所述的雙極晶體管，其特征在于所述環形第2基極區與所述島區形成的結合境界的深層端緣部分形成為較深的所定的圓形。