[其他]高跨導高厄利(Early)電壓模擬(MOS)晶體管無效
| 申請號： | 86100192 | 申請日： | 1986-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN86100192A | 公開（公告）日： | 1987-07-22 |
| 發明（設計）人： | 馬龍;錢其∴ | 申請（專利權）人： | 南開大學 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/70;H01L27/06 |
| 代理公司： | 南開大學專利事務所 | 代理人： | 耿錫錕 |
| 地址： | 天津市南開區*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | 高跨導高Early電壓的MOS晶體管——HGET，屬于一族新型半導體集成器件。它能在常規的MOS工藝下制造出跨導為20～40m，Early電壓為40～50V的器件。這種器件放大器的電壓增益可達57db。它的等效電路是由兩個MOS管和一個雙極型晶體管復合構成，它的工藝簡單，又能比普通的MOS器件的芯片面積小β倍，用于模擬電路中即能獲得高增益，又因互補作用，能靈活滿足不同電路的設計要求。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 高跨導高厄利 early 電壓 模擬 mos 晶體管 | ||
【主權項】：
1、一種由一個MOS晶體管和一個雙極型晶體管(圖1、A)或者由兩個MOS晶體管(圖1、B)構成的半導體集成器件，其特征在于增加了一個MOS晶體管或一個雙極型晶體管，一共由三支管子(二只MOS晶體管，一只雙極型晶體管)復合構成甲乙兩類(因為晶體管有兩種類型，一類有兩種等效復合方式)一共四種復合方式。甲類復合方式：MOS晶體管M1的源極和三極管Q的基極連結，MOS晶體管M2的柵極和晶體管Q的發射極連接，M1的漏極、Q的集電極和M2的源極連結，M1、M2是NMOS晶體管時，Q是NPN型晶體管，這是一種方式(圖2、A)，M1M2是PMOS晶體管時，Q是PNP型晶體管，構成另一種復合方式(圖2、B)。乙類復合方式：M1的源極、M2的柵極和Q的集電極連接，M1的漏極和Q的基極連結，M2的源極和Q的發射極連結，當M1、M2是NMOS時，Q是PNP管，構成一種復合方式(圖3、A)，當M1、M2是PMOS時，Q是NPN管，這是另一種復合方式(圖3、B)。
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