[其他]高跨導高厄利(Early)電壓模擬(MOS)晶體管

無效

• 申請號: 86100192
• 申請日: 1986-01-12
• 公開（公告）號: CN86100192A
• 公開（公告）日: 1987-07-22
• 發明（設計）人: 馬龍;錢其∴
• 申請（專利權）人: 南開大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/70;H01L27/06
• 代理公司: 南開大學專利事務所
• 代理人: 耿錫錕

1、一種由一個MOS晶體管和一個雙極型晶體管(圖1、A)或者由兩個MOS晶體管(圖1、B)構成的半導體集成器件，其特征在于增加了一個MOS晶體管或一個雙極型晶體管，一共由三支管子(二只MOS晶體管，一只雙極型晶體管)復合構成甲乙兩類(因為晶體管有兩種類型，一類有兩種等效復合方式)一共四種復合方式。

甲類復合方式：MOS晶體管M₁的源極和三極管Q的基極連結，MOS晶體管M₂的柵極和晶體管Q的發射極連接，M₁的漏極、Q的集電極和M₂的源極連結，M₁、M₂是NMOS晶體管時，Q是NPN型晶體管，這是一種方式(圖2、A)，M₁M₂是PMOS晶體管時，Q是PNP型晶體管，構成另一種復合方式(圖2、B)。

乙類復合方式：M₁的源極、M₂的柵極和Q的集電極連接，M₁的漏極和Q的基極連結，M₂的源極和Q的發射極連結，當M₁、M₂是NMOS時，Q是PNP管，構成一種復合方式(圖3、A)，當M₁、M₂是PMOS時，Q是NPN管，這是另一種復合方式(圖3、B)。

2、按照權力要求1所說的甲類復合方式，當M₁、M₂是NMOS管，Q是NPN管時的版圖的結構特征是在N型襯底上制作P₁阱和P₂阱，在P₁阱內作N⁺₁和N⁺₂兩個區，由N⁺₁區引出S極，由N⁺₂的一側到P₁阱與P₂阱之間的N⁺₂的一側上面制作G₁，P₁阱和N⁺₂區在K處短接，作N⁺₃位于P₁阱和P₂阱之間且不留間隙，在P₂阱內作N⁺₄區，在N⁺₄區與N⁺₃區之間的P₂阱上作G₂並與S相連結，P₂阱與N型襯底在F處短接。

3、按照權力要求1所說的甲類復合方式，當M₁、M₂是PMOS時，Q是PNP管時的版圖結構特征是，在P型襯底上，制作N₁阱和N₂阱，在N₁阱內作P⁺₁和P⁺₂兩個區，由P⁺₁區引出S極，由P⁺₂的一側到N₁阱與N₂阱之間的P⁺₃的一側上面制作G₁，N₁阱和P⁺₂區在K處短接，作P⁺₃位于N₁阱和N₂阱之間且不留間隙，在N₂阱內作P⁺₄區，在P⁺₄區與P⁺₂區之間的N₂阱上作G₂并與S相連結，N₂阱與P型襯底在F處短接。

4、根據權力要求1中的甲類和乙類復合形式所說，其特征是M₂是耗盡型MOS晶體管。