[其他]絕緣襯底上混合源雙面硅單晶生長無效
| 申請號： | 86100027 | 申請日： | 1986-01-06 |
| 公開（公告）號： | CN86100027A | 公開（公告）日： | 1987-07-15 |
| 發明（設計）人： | 楊樹人;湯廣平;全寶富 | 申請（專利權）人： | 吉林大學 |
| 主分類號： | C30B25/02 | 分類號： | C30B25/02;C30B25/22 |
| 代理公司： | 吉林大學專利事務所 | 代理人： | 楊德勝 |
| 地址： | 吉林省*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發明是一種半導體器件及集成電路制造中的化學氣相硅淀積工藝，其目的在于實現“單晶硅/絕緣材料/單晶硅”的半導體材料結構。其特點是該結構外延一次完成，生長速率快，單晶厚度均勻，質量好，設備簡單，操作方便，對絕緣襯底無氣相腐蝕，便于生產應用。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣 襯底 混合 雙面 硅單晶 生長 | ||
【主權項】：
1、一種在絕緣襯底上的硅燒和四氯化硅混合源雙面硅單晶生長工藝，其特征在于首先用硅烷淀積硅將絕緣襯底包裹起來，然后將硅烷和四氯化硅按一定比例混合，以氫氣為載氣進行原位硅單晶生長，并且在雙面一次生長完畢。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于吉林大學，未經吉林大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/patent/86100027/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
