[其他]絕緣襯底上混合源雙面硅單晶生長無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86100027 | 申請日： | 1986-01-06 |
| 公開（公告）號： | CN86100027A | 公開（公告）日： | 1987-07-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊樹人;湯廣平;全寶富 | 申請（專利權(quán)）人： | 吉林大學 |
| 主分類號： | C30B25/02 | 分類號： | C30B25/02;C30B25/22 |
| 代理公司： | 吉林大學專利事務(wù)所 | 代理人： | 楊德勝 |
| 地址： | 吉林省*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 絕緣 襯底 混合 雙面 硅單晶 生長 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、一種在絕緣襯底上的硅燒和四氯化硅混合源雙面硅單晶生長工藝，其特征在于首先用硅烷淀積硅將絕緣襯底包裹起來，然后將硅烷和四氯化硅按一定比例混合，以氫氣為載氣進行原位硅單晶生長，并且在雙面一次生長完畢。
2、一種按照權(quán)利要求1所述的絕緣襯底上的硅單晶生長工藝，其特征在于首先在900℃～1080℃條件對絕緣襯底包裹0.5微米以上的單晶硅，然后在原位進行硅烷和四氯化硅混合源硅單晶生長。
3、一種按照權(quán)例要求1和2所述的硅烷和四氯化硅混合源硅單晶生長，其外延生長溫度為950～1150℃，混合比例是四氯化硅摩爾濃度/硅烷摩爾濃度＝9/1～1/9。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于吉林大學，未經(jīng)吉林大學許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/86100027/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：片肉機
- 下一篇：環(huán)形窯爐
