[其他]真空遠紅外充氮亞胺化裝置無效
| 申請號： | 85200146 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85200146U | 公開（公告）日： | 1986-01-15 |
| 發明（設計）人： | 廖萃荃 | 申請（專利權）人： | 南京工學院 |
| 主分類號： | H01L21/312 | 分類號： | H01L21/312;H01L21/47 |
| 代理公司： | 南京工學院專利事務所 | 代理人： | 姚建楠 |
| 地址： | 江蘇省南京*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本實用新型屬于半導體器件和集成電路表面有機鈍化用新設備。其特征在于選用了波長為2～15μm范圍的遠紅外線輻射源，并用真空減壓、連續充氮氣的方法，使得整個恒溫亞胺化過程，始終產生斷續變化的遠紅外線輻照，達到階梯升溫、恒溫、迅速排除反應生成聚縮水的要求，同時也有效地防止了硅片上鋁層的氧化。本裝置除在半導體器件及集成電路中作鈍化層和內涂層的加工外，還能用于多層布線介質層的加工和其它需要制取高質量聚酰亞胺膜的地方。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 真空 紅外 亞胺 化裝 | ||
【主權項】：
1、一種真空遠紅外線充氮亞胺化裝置由真空遠紅外爐〔17〕，程序加熱溫度補償控制儀〔18〕，半導體精密控溫儀〔16〕、機械真空泵〔19〕構成，其特征在于所述的遠紅外爐采用兩塊對置的遠紅外輻射板〔2〕和氮氣噴嘴管〔14〕。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
