[其他]真空遠紅外充氮亞胺化裝置無效
| 申請號: | 85200146 | 申請日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN85200146U | 公開(公告)日: | 1986-01-15 |
| 發明(設計)人: | 廖萃荃 | 申請(專利權)人: | 南京工學院 |
| 主分類號: | H01L21/312 | 分類號: | H01L21/312;H01L21/47 |
| 代理公司: | 南京工學院專利事務所 | 代理人: | 姚建楠 |
| 地址: | 江蘇省南京*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空 紅外 亞胺 化裝 | ||
1、一種真空遠紅外線充氮亞胺化裝置由真空遠紅外爐〔17〕,程序加熱溫度補償控制儀〔18〕,半導體精密控溫儀〔16〕、機械真空泵〔19〕構成,其特征在于所述的遠紅外爐采用兩塊對置的遠紅外輻射板〔2〕和氮氣噴嘴管〔14〕。
2、根據權利要求1所述的裝置,其特征在于所述的遠紅外爐在兩塊遠紅外輻射板〔2〕中間裝有半導體精密控溫儀探頭〔1〕,並配有能迅速排除水分子的機械真空泵〔19〕。
3、根據權利要求1所述的裝置,其特征在于所述的氮氣噴嘴管〔14〕采用有均勻分布噴氣孔的直徑為8mm的不銹鋼管。
4、根據權利要求1所述裝置,其特征在于爐腔〔10〕采用不銹鋼材料制成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





