【主權項】：

1、由立方晶系的半導體材料組成的上述外延層在基片上生長的方法。當生長結束時，處延層的晶格常數可以從相鄰于上述基片的初始晶格常數緩變至外延層表面上的最終晶格常數。此外延層生長的方法包括，在上述基片上形成大量的生長表面的步驟，外延層上述生長表面上生長和控制上述外延層的晶格常數，它從上述初始的晶格常數變化至上述最終的晶格常數。上述的生長表面和受控制的晶格常數的變化是這樣的，在上述外延層生長期間，對于上述外延層表面上每一個初始面積元，它在初始點有一初始晶格常數，過段時間后，在上述外延層表面上就有一個與之相關的類似面積元，它在類似點有一類似的晶格常數。在時間上上述類似點發生在初始點之后。每一個初始的面積元和與其相關的類似的面積元之比，如果上述初始的晶格常數比上述類似晶格常數小，那么，就小于1，如果上述初始的晶格常數比上述類似的晶格常數大，那么，就大于1。在上述外延層生長時，控制每一個初始的面積元和與之相關的類似面積元之間的相互關系，使得在外延層生長繼續進行時，從初始面積元生長出來的上述外延層的那部分的表面和上述相關的類似面積元的表面在上述類似點處相吻合。