[其他]緩變晶格外延層的生長

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 85109212
• 申請日: 1985-12-16
• 公開（公告）號: CN85109212A
• 公開（公告）日: 1986-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 麥爾文·西莫爾·庫克
• 申請（專利權(quán)）人: 麥爾文·西莫爾·庫克
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部
• 代理人: 趙越

1、由立方晶系的半導(dǎo)體材料組成的上述外延層在基片上生長的方法。當(dāng)生長結(jié)束時(shí)，處延層的晶格常數(shù)可以從相鄰于上述基片的初始晶格常數(shù)緩變至外延層表面上的最終晶格常數(shù)。此外延層生長的方法包括，在上述基片上形成大量的生長表面的步驟，外延層上述生長表面上生長和控制上述外延層的晶格常數(shù)，它從上述初始的晶格常數(shù)變化至上述最終的晶格常數(shù)。上述的生長表面和受控制的晶格常數(shù)的變化是這樣的，在上述外延層生長期間，對于上述外延層表面上每一個(gè)初始面積元，它在初始點(diǎn)有一初始晶格常數(shù)，過段時(shí)間后，在上述外延層表面上就有一個(gè)與之相關(guān)的類似面積元，它在類似點(diǎn)有一類似的晶格常數(shù)。在時(shí)間上上述類似點(diǎn)發(fā)生在初始點(diǎn)之后。每一個(gè)初始的面積元和與其相關(guān)的類似的面積元之比，如果上述初始的晶格常數(shù)比上述類似晶格常數(shù)小，那么，就小于1，如果上述初始的晶格常數(shù)比上述類似的晶格常數(shù)大，那么，就大于1。在上述外延層生長時(shí)，控制每一個(gè)初始的面積元和與之相關(guān)的類似面積元之間的相互關(guān)系，使得在外延層生長繼續(xù)進(jìn)行時(shí)，從初始面積元生長出來的上述外延層的那部分的表面和上述相關(guān)的類似面積元的表面在上述類似點(diǎn)處相吻合。

2、根據(jù)權(quán)利要求1的生長外延層的方法，除了上述多個(gè)生長表面外，在上述的基片表面上還形成了一個(gè)涂層。每一個(gè)上述生長表面具有數(shù)值小于500平方微米的面積。

3、根據(jù)權(quán)利要求1的生長外延層的方法，其中上述多個(gè)生長表面的每一個(gè)被控制成凹形表面，并且將上述最終晶格常數(shù)控制到小于上述初始晶格常數(shù)。

4、根據(jù)權(quán)利要求3的生長外延層的方法，其中所說的凹形表面與局部的球形表面相吻合。

5、根據(jù)權(quán)項(xiàng)要求1的生長外延層的方法，其中上述的多個(gè)生長表面的每一個(gè)被制成凸形表面，并且將上述最終晶格常數(shù)控制到大于上述初始晶格常數(shù)。

6、根據(jù)利項(xiàng)要求5的生長外延層的方法，其中上述的凸形表面與局部的球形表面相吻合。

7、在根據(jù)利項(xiàng)要求1的生長外延層的方法，其中每一個(gè)初始面積元素和與其相關(guān)的類似面積元的上述比有一比值，如果上述初始晶格常數(shù)小于上述類似的晶格常數(shù)，上述比值就不大于上述初始晶格常數(shù)與類似的晶格常數(shù)之比的平方，如果上述初始晶格常數(shù)大于上述類似的晶格常數(shù)，此比值就不小于上述初始晶格常數(shù)與上述類似的晶格常數(shù)之比的平方。

8、根據(jù)利項(xiàng)要求7的生長外延層的方法，除了上述多個(gè)生長表面外，在上述的基片表面上形成一個(gè)涂層。每一個(gè)生長表面具有數(shù)值小于500平方微米的面積。

9、根據(jù)權(quán)利要求7的生長外延層的方法，其中上述大量生長表面的每一個(gè)被制成凹形表面，并且將上述最終晶格常數(shù)控制到小于上述初始晶格常數(shù)。

10、根據(jù)權(quán)利要求9的生長外延層的方法，其中上述的凹形表面與局部的球形表面相吻合。

11、根據(jù)權(quán)利要求7的生長外延層的方法，其中上述的多個(gè)生長表面的每一個(gè)被制成凸形表面，并且將上述最終晶格常數(shù)控制到大于上述初始晶格常數(shù)。

12、根據(jù)權(quán)利要求11的生長外延層的方法，其中上述的凸形表面與局部的球形表面相吻合。