[其他]一種改進的銻化銦多元列陣器件工藝無效
| 申請號： | 85108767 | 申請日： | 1985-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN85108767A | 公開（公告）日： | 1987-05-20 |
| 發明（設計）人： | 俞振中;陳新強;沈壽珍;胡文軍 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/72 |
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 徐偉奇,郭英 |
| 地址： | 上海市中山北*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種改進的銻化銦多元列陣器件工藝，它是在原有的p-n結合面形成、二氧化硅介質隔離、鉻金延伸電極的工藝中，引入陽極氧化法，從而克服了原工藝的缺陷，提高了器件成品率和成品器件的性能，做出了64元多元列陣器件。其改進方法不僅適用于銻化銦材料的器件工藝，也適合在其他材料器件工藝中應用。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改進 銻化銦 多元 列陣 器件 工藝 | ||
【主權項】：
1、一種改進的銻化銦多元列陣器件工藝，包括p-n結臺面形成，二氧化硅[6]介質隔離，鉻金延伸電極，其特征是在二氧化硅窗口開出后，先保護電極窗口[4]，然后在KOH溶液中陽極氧化，氧化后即嚴格清洗芯片。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
