[其他]一種改進(jìn)的銻化銦多元列陣器件工藝

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 85108767
• 申請(qǐng)日: 1985-11-13
• 公開（公告）號(hào): CN85108767A
• 公開（公告）日: 1987-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 俞振中;陳新強(qiáng);沈壽珍;胡文軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L21/72
• 代理公司: 中國(guó)科學(xué)院上海專利事務(wù)所
• 代理人: 徐偉奇,郭英

1、一種改進(jìn)的銻化銦多元列陣器件工藝，包括p-n結(jié)臺(tái)面形成，二氧化硅[6]介質(zhì)隔離，鉻金延伸電極，其特征是在二氧化硅窗口開出后，先保護(hù)電極窗口[4]，然后在KOH溶液中陽極氧化，氧化后即嚴(yán)格清洗芯片。

2、按權(quán)利要求1規(guī)定的工藝，其特征是保護(hù)電極窗口〔4〕用的是光刻膠。

3、按權(quán)利要求1規(guī)定的工藝，其特征是所說的KOH的濃度為0.1N。

4、按權(quán)利要求1規(guī)定的工藝，其特征是樣品在KOH溶液中陽極氧化時(shí)，厚度控制在1000左右。

5、按權(quán)利要求1規(guī)定的工藝，其特征是在陽極氧化過程中，采用恒壓法。