【主權(quán)項】：

1、一種制造互補型金屬氧化物半導(dǎo)體雙阱半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟：將N雜質(zhì)注入到P型硅體表面一個選定的區(qū)域里，造成一個N阱區(qū)，并在所述N阱區(qū)上面生長第一層氧化物，使用所述的第一層氧化物作為掩膜，將P雜質(zhì)注入到所述的表面，從而形成一個P阱區(qū)，并對所述的硅體進行熱處理而驅(qū)使所述的N阱和P阱進入到所述的表面，在所述表面上形成一層氧化掩膜，并在所述P阱區(qū)里的所述掩膜里開一個孔，然后，在所述的孔里腐蝕一個凹口，腐蝕到所述孔里所述表面的硅里，在所述的凹口里氧化所述的硅，從而造成一個延伸到所述表面里的場氧化物隔離區(qū)，場氧化物有一個上表面，同上述的表面差不多在同一平面，在所述的表面上加一層導(dǎo)電材料，并在上述層上形成圖案以使在上述的N阱和P阱區(qū)上留下柵層，使用所述的柵層作為掩膜，將n+雜質(zhì)注入到N阱和P阱區(qū)里，以在P阱區(qū)里形成N溝晶體管的N+源極/漏極，使用柵層和一個光刻膠涂層作為掩膜，將P+雜質(zhì)僅注入到N阱區(qū)，在N阱區(qū)里形成P+源極/漏極區(qū)，其濃度比在所述的N+源極/漏極里的高得多。