[其他]高密度互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體集成電路制造工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 85108372
• 申請日: 1985-11-01
• 公開（公告）號: CN85108372A
• 公開（公告）日: 1986-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅伯特R·通爾林;邁克爾P·德奎;格雷戈里J·阿姆斯特朗
• 申請（專利權(quán)）人: 得克薩斯儀器公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L29/78;H01L21/72;H01L27/04
• 代理公司: 上海專利事務(wù)所
• 代理人: 吳淑芳

1、一種制造互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體雙阱半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟：

將N雜質(zhì)注入到P型硅體表面一個選定的區(qū)域里，造成一個N阱區(qū)，并在所述N阱區(qū)上面生長第一層氧化物，

使用所述的第一層氧化物作為掩膜，將P雜質(zhì)注入到所述的表面，從而形成一個P阱區(qū)，并對所述的硅體進(jìn)行熱處理而驅(qū)使所述的N阱和P阱進(jìn)入到所述的表面，

在所述表面上形成一層氧化掩膜，并在所述P阱區(qū)里的所述掩膜里開一個孔，然后，在所述的孔里腐蝕一個凹口，腐蝕到所述孔里所述表面的硅里，

在所述的凹口里氧化所述的硅，從而造成一個延伸到所述表面里的場氧化物隔離區(qū)，場氧化物有一個上表面，同上述的表面差不多在同一平面，

在所述的表面上加一層導(dǎo)電材料，并在上述層上形成圖案以使在上述的N阱和P阱區(qū)上留下柵層，

使用所述的柵層作為掩膜，將n+雜質(zhì)注入到N阱和P阱區(qū)里，以在P阱區(qū)里形成N溝晶體管的N+源極/漏極，

使用柵層和一個光刻膠涂層作為掩膜，將P+雜質(zhì)僅注入到N阱區(qū)，在N阱區(qū)里形成P+源極/漏極區(qū)，其濃度比在所述的N+源極/漏極里的高得多。

2、按照權(quán)項1的方法，包括在所述的注入步驟以前，在所述的棚層上形成測壁墊層的步驟。

3、按照權(quán)項1的方法，包括在形成所述的場氧化物以前，在所述的凹口底部形成一個溝道阻斷區(qū)的工藝步驟。

4、按照權(quán)項1的方法，包括在所述的源極/漏極區(qū)形成直接起反應(yīng)的硅化物的工藝步驟。

5、按照權(quán)項4的方法，其中，所述的形成直接起反應(yīng)的硅化物的工藝步驟是由在所述柵層上的測壁氧化層作掩膜的。

6、按照權(quán)項5的方法，其中，所述的柵層是多晶硅，并且包括在所述的柵層上面形成直接起反應(yīng)的硅化物的步驟。

7、按照權(quán)項1的方法，其中，在所述的凹口里氧化所述硅的所述步驟包括選擇性地在所述凹口的測壁上形成一層氧化??掩膜。

8、一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟：

將一種類型的雜質(zhì)注入到相反類型的半導(dǎo)體本體的表面的一個選定區(qū)域里，形成第一個阱區(qū)，并在所述的第一個阱區(qū)上生長第一層氧化層，

使用所述的第一層氧化層作為掩膜，將相反類型的雜質(zhì)注入到所述的表面里，形成第二個阱區(qū)，并對所述的本體進(jìn)行熱處理，從而驅(qū)使所述的第一個阱和第二個阱，進(jìn)入到所述的表面里，并且接著對于在所述的第一和第二個區(qū)里形成的晶體管建立閾值電壓，

在所述的表面上形成一層氧化物掩膜，并在所述的第二個阱區(qū)里的所述掩膜里開一個孔，然后在所述的孔里腐蝕一個凹口進(jìn)入到所述的表面里，

在所述的凹口里氧化所述表面的所述半導(dǎo)體材料，形成延伸到所述表面里的場氧化物隔離區(qū)，場氧化物有一個上表面，同所述的表面差不多在同一平面，

在所述的表面上加一層導(dǎo)電材料，并在上述的層上形成圖案以使在上述的第一阱和第二阱區(qū)上留下柵層，

使用所述的柵層作為掩膜，將所述的一種類型的雜質(zhì)注入到第一阱和第二阱區(qū)，以在第二阱區(qū)形成晶體管的源極/漏極區(qū)域。

將所述的相反類型的雜質(zhì)僅注入到第一阱區(qū)，在第一阱區(qū)??造成晶體管的源極/漏極區(qū)，其濃度比在所述的第二阱區(qū)里的所述源極/漏極區(qū)的濃度高得多。

9、按照權(quán)項8的方法，包括在所述的注入步驟以前，在所述的柵氧化層上形成側(cè)壁墊層的步驟。

10、按照權(quán)項8的方法，包括在形成所述的場氧化物以前，在所述的凹口底部形成一個溝道阻斷區(qū)的工藝步驟。

11、按照權(quán)項8的方法，包括在所述的源極/漏極區(qū)上形成直接起反應(yīng)的硅化物的工藝步驟。

12、按照權(quán)項11的方法，其中，所述的形成直接起反應(yīng)的硅化物的工藝步驟是由在所述柵層上的側(cè)壁氧化層作掩膜的。

13、按照權(quán)項12的方法，其中，所述的柵層是多晶硅，并且包括在所述的柵層上面形成直接起反應(yīng)的硅化物的步驟。

14、按照權(quán)項8的方法，其中，在所述的凹口里氧化所述的半導(dǎo)體材料的步驟包括選擇性地在所述凹口的側(cè)壁上形成一層氧化物掩膜。