[其他]半導(dǎo)體器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85108134 | 申請日： | 1985-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN85108134A | 公開（公告）日： | 1986-07-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 植木善夫 | 申請（專利權(quán)）人： | 索尼公司 |
| 主分類號： | H01L29/70 | 分類號： | H01L29/70;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 日本東京都品*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 具有npn和pnp晶體管的一半導(dǎo)體器件，其特征在于一半導(dǎo)體襯底上所形成的一n型外延層上形成npn晶體管，以及在n型外延層上所形成的一n型半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)形成pnp晶體管，n型半導(dǎo)體區(qū)域具有一高于n型外延層的雜質(zhì)濃度，即使n型外延層的厚度被減小，仍可以防止pnp晶體管的穿通現(xiàn)象，因此得到一高速半導(dǎo)體器件。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 | ||
【主權(quán)項】：
1、具有npn和pnp晶體管的一半導(dǎo)體器件，其特征在于一半導(dǎo)體襯底上所形成的一n型外延層上形成npn晶體管，以及在n型外延層上所形成的一n型半導(dǎo)體區(qū)域里形成pnp晶體管，上述n型半導(dǎo)體區(qū)域具有一高于上述n型外延層的雜質(zhì)濃度。
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
