[其他]半導體器件無效
| 申請號： | 85108134 | 申請日： | 1985-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN85108134A | 公開（公告）日： | 1986-07-02 |
| 發明（設計）人： | 植木善夫 | 申請（專利權）人： | 索尼公司 |
| 主分類號： | H01L29/70 | 分類號： | H01L29/70;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 日本東京都品*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 具有npn和pnp晶體管的一半導體器件，其特征在于一半導體襯底上所形成的一n型外延層上形成npn晶體管，以及在n型外延層上所形成的一n型半導體區域內形成pnp晶體管，n型半導體區域具有一高于n型外延層的雜質濃度，即使n型外延層的厚度被減小，仍可以防止pnp晶體管的穿通現象，因此得到一高速半導體器件。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 | ||
【主權項】：
1、具有npn和pnp晶體管的一半導體器件，其特征在于一半導體襯底上所形成的一n型外延層上形成npn晶體管，以及在n型外延層上所形成的一n型半導體區域里形成pnp晶體管，上述n型半導體區域具有一高于上述n型外延層的雜質濃度。
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