[其他]MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵壓溫度篩選方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85107886 | 申請(qǐng)日： | 1985-10-18 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN85107886B | 公開(kāi)（公告）日： | 1988-02-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 苗慶海;劉可辛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 山東大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L21/145 | 分類號(hào)： | H01L21/145;G01R31/26 |
| 代理公司： | 山東大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人： | 王緒銀,楊富賢 |
| 地址： | 山東省*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種篩選方法。本方法是將MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和漏極短路、柵極和源極之間施加直流偏壓，置于高溫環(huán)境中進(jìn)行老化。比較老化前后的閾電壓值可判知MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的穩(wěn)定性和可靠性。易于剔除性能不穩(wěn)定、可靠性差的管子，而對(duì)優(yōu)質(zhì)正品管無(wú)損傷。具有參數(shù)反映靈敏、試驗(yàn)效率高、周期短、非破壞性、儀器設(shè)備簡(jiǎn)單、操作容易和節(jié)省篩選費(fèi)用的優(yōu)點(diǎn)。在當(dāng)前對(duì)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的考核尚無(wú)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的情況下亦可作為例行試驗(yàn)方法。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | mos 場(chǎng)效應(yīng) 晶體管 溫度 篩選 方法 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、一種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的篩選方法，包括：(1)首先測(cè)量待試驗(yàn)晶體管的閾電壓VT。(2)將晶體管的源極和漏極短路，柵極和源極之間施加直流偏壓，置于恒溫中老化。(3)保持柵源偏壓不變，取出晶體管置于室溫中冷卻至室溫，再去除偏壓。(4)再測(cè)量晶體管的閾電壓值VT′。(5)比較閾電壓值ΔVT＝|VT′-VT|，ΔVT大的晶體管即為穩(wěn)定性和可靠性差的晶體管。其特征在于在所述恒溫老化同時(shí)，在MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極與源漏極之間加直流偏壓，而源極與漏極是(相互)短路的。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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