[其他]金屬層制版印刷術中作抗反射涂層用的無定形硅無效

申請號：	85107650	申請日：	1985-10-17
公開（公告）號：	CN85107650A	公開（公告）日：	1986-07-16
發明（設計）人：	湯志	申請（專利權）人：	英特爾公司
主分類號：	H01L21/28	分類號：	H01L21/28;H01L21/44;G03G5/00
代理公司：	中國專利代理有限公司	代理人：	陶令靄
地址：	美國加利福尼亞州***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：	本發明是對制版方法形成帶圖案金屬層工藝的一種改進。在半導體器件上的金屬層上制作抗反射涂層之前先形成一層無定形硅層。這種硅通過吸收光刻膠層的曝光用光，既可防止光從金屬層上反射出來，也可防止在光刻膠層上產生凹陷。采用噴鍍的無定形硅可省去抗反射層烘烤時所需的嚴格處理步驟及繞自身旋轉抗反射層所需的噴淋顯影技術。操作溫度為低溫，金屬和噴鍍硅的蝕刻同時進行。
搜索關鍵詞：	金屬制版印刷術中作抗反射涂層無定形
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【主權項】：

1、一種用制版印刷術在半導體器件上形成帶圖案的導電層工藝的改進方法，包括下列步驟：a、在所述的導電層上形成一層噴鍍硅層；b、在所述的噴鍍硅層上形成一層光刻膠層，所述的光刻膠層是在所述的噴鍍硅層形成后形成的；c、在所述的導電層上，用所述的制版術形成圖案；在所述的制版過程中，入射到器件上的光從所述的導電層上的反射和所述的光刻膠層上不必要部位的曝光均受抑制。

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