[其他]金屬層制版印刷術中作抗反射涂層用的無定形硅

無效

• 申請號: 85107650
• 申請日: 1985-10-17
• 公開（公告）號: CN85107650A
• 公開（公告）日: 1986-07-16
• 發明（設計）人: 湯志
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/44;G03G5/00
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 陶令靄

1、一種用制版印刷術在半導體器件上形成帶圖案的導電層工藝的改進方法，包括下列步驟：

a、在所述的導電層上形成一層噴鍍硅層；

b、在所述的噴鍍硅層上形成一層光刻膠層，所述的光刻膠層是在所述的噴鍍硅層形成后形成的；

c、在所述的導電層上，用所述的制版術形成圖案；

在所述的制版過程中，入射到器件上的光從所述的導電層上的反射和所述的光刻膠層上不必要部位的曝光均受抑制。

2、如權利要求1所述的改進，其中所述的硅層約50-500埃厚。

3、如權利要求1所述的改進，其中所述的硅層是無定形硅。

4、如權利要求1所述的改進，其中直流濺射技術被用于形成所述的硅層。

5、如權利要求1所規定的改進，其中徑流濺射技術被用于形成所述的硅層。

6、如權利要求1所規定的改進，其中所述的導電層是金屬。

7、如權利要求1所規定的改進，其中所述的導電層是一種耐熔金屬硅化物。