[其他]無掩模被覆金屬的方法無效
| 申請號: | 85107549 | 申請日: | 1985-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN85107549B | 公開(公告)日: | 1988-05-25 |
| 發明(設計)人: | 萊斯特·維恩·赫羅恩;阿納達·霍薩克里·卡馬 | 申請(專利權)人: | 國際商用機器公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/60;C23C14/04 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 郁玉成 |
| 地址: | 美國紐*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 對已有金屬圖形進行被覆的無掩膜金屬被覆法中,采用了隔離保護層來保護它下面的不希望覆蓋其它金屬的區域,以不使重金屬在上沉積及隨后擴散。選擇該層的組成,使其具有經受處理和支撐金屬被覆層的足夠機械強度,以及具有經受金屬濺散和擴散過程中高溫的熱牢固性。此保護層含有有機成分粘結劑,此粘結劑在沉積金屬前的加熱步驟中、或就在擴散過程中熱分解,留下一個惰性的、不含碳的無機隔離層來支持金屬被覆層。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 無掩模 被覆 金屬 方法 | ||
【主權項】:
1.將金屬有選擇地覆蓋在多個彼此隔開的金屬區(暴露于一個基片的表面)中一部門區上的方法,其特征在于具有如下步驟:制備由陶瓷顆粒、可解聚的聚合粘結劑劑和溶劑組成的漿料;用漿料涂覆選定數量的上述金屬區:將上述基片的整個表面(包括無保護層的所述金屬區)上覆蓋一層重金屬薄層;加熱所述基片,使該金屬層與所述無保護層的金屬區慢慢混合并熔合,以及從所述表面的非金屬區上去除漿料涂層和覆蓋的重金屬薄層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





