[其他]半導(dǎo)體器件的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85106463 | 申請日: | 1985-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN85106463B | 公開(公告)日: | 1987-07-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 木山精一;今井秀記 | 申請(專利權(quán))人: | 三洋電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/06 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 劉暉 |
| 地址: | 日本大阪府守*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 本發(fā)明涉及一種具有很多光電轉(zhuǎn)換區(qū)的半導(dǎo)體器件的制造方法,該方法包括下列各步驟準(zhǔn)備好一個基片,在上述基片的一側(cè)主表面上連續(xù)地形成一層半導(dǎo)體薄膜,再用能量束,例如用激光束,從上述基片的另一側(cè)主表面進行照射,并去除該部位的半導(dǎo)體薄膜,從而把上述半導(dǎo)體薄膜分隔成各個區(qū)域。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 制造 方法 | ||
【主權(quán)項】:
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法,包括下列步驟:準(zhǔn)備一個基片;在上述基片一主表面?zhèn)壬线B續(xù)地形成一層半導(dǎo)體薄膜;用能量束照射上述半導(dǎo)體薄膜,并去掉被照射部位上的半導(dǎo)體薄膜,從而把上述半導(dǎo)體薄膜分隔成若干個區(qū)域;其特征在于:上述基片為透光基片,上述能量束為激光束,此激光束是從上述基片的另一主表面?zhèn)日丈涞摹?/div>
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





