[其他]半導體器件的制造方法無效
| 申請號： | 85106463 | 申請日： | 1985-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN85106463B | 公開（公告）日： | 1987-07-15 |
| 發明（設計）人： | 木山精一;今井秀記 | 申請（專利權）人： | 三洋電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/06 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 劉暉 |
| 地址： | 日本大阪府守*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 本發明涉及一種具有很多光電轉換區的半導體器件的制造方法，該方法包括下列各步驟準備好一個基片，在上述基片的一側主表面上連續地形成一層半導體薄膜，再用能量束，例如用激光束，從上述基片的另一側主表面進行照射，并去除該部位的半導體薄膜，從而把上述半導體薄膜分隔成各個區域。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
【主權項】：
1.一種制造半導體器件的方法，包括下列步驟：準備一個基片；在上述基片一主表面側上連續地形成一層半導體薄膜；用能量束照射上述半導體薄膜，并去掉被照射部位上的半導體薄膜，從而把上述半導體薄膜分隔成若干個區域；其特征在于：上述基片為透光基片，上述能量束為激光束，此激光束是從上述基片的另一主表面側照射的。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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