[其他]半導(dǎo)體器件的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85106463 | 申請日： | 1985-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN85106463B | 公開（公告）日： | 1987-07-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 木山精一;今井秀記 | 申請（專利權(quán)）人： | 三洋電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/06 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 劉暉 |
| 地址： | 日本大阪府守*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發(fā)明涉及一種具有很多光電轉(zhuǎn)換區(qū)的半導(dǎo)體器件的制造方法，該方法包括下列各步驟準(zhǔn)備好一個基片，在上述基片的一側(cè)主表面上連續(xù)地形成一層半導(dǎo)體薄膜，再用能量束，例如用激光束，從上述基片的另一側(cè)主表面進行照射，并去除該部位的半導(dǎo)體薄膜，從而把上述半導(dǎo)體薄膜分隔成各個區(qū)域。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 制造 方法 | ||
【主權(quán)項】：
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟：準(zhǔn)備一個基片；在上述基片一主表面?zhèn)壬线B續(xù)地形成一層半導(dǎo)體薄膜；用能量束照射上述半導(dǎo)體薄膜，并去掉被照射部位上的半導(dǎo)體薄膜，從而把上述半導(dǎo)體薄膜分隔成若干個區(qū)域；其特征在于：上述基片為透光基片，上述能量束為激光束，此激光束是從上述基片的另一主表面?zhèn)日丈涞摹?/div>
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三洋電機株式會社，未經(jīng)三洋電機株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/patent/85106463/，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
