[其他]半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 85106463
• 申請日: 1985-08-28
• 公開（公告）號: CN85106463B
• 公開（公告）日: 1987-07-15
• 發明（設計）人: 木山精一;今井秀記
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/06
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 劉暉

1、一種制造半導體器件的方法，包括下列步驟：

準備一個基片;

在上述基片一主表面側上連續地形成一層半導體薄膜;

用能量束照射上述半導體薄膜，并去掉被照射部位上的半導體薄膜，從而把上述半導體薄膜分隔成若干個區域;其特征在于：上述基片為透光基片，上述能量束為激光束，此激光束是從上述基片的另一主表面側照射的。

2、按照權利要求1所述的制造方法，其特征在于：在形成上述半導體薄膜之前，有一個在所述透光基片一主表面側形成透明電極薄膜并將其分隔成許多區域的步驟，半導體薄膜在上述透光基片的一主表面側上連續延伸，并覆蓋住在形成上述半導體薄膜前所形成的上述各個透明薄膜電極。

3、按照權利要求2所述的制造方法，其特征在于：在分隔半導體薄膜的步驟之后，有一個形成背面電極薄膜的步驟，該薄膜連續地覆蓋住各個被分隔了的半導體薄膜部位，以及一個用激光束照射上述背面電極薄膜并去掉該部位上的背面電極薄膜，從而將上述背面電極薄膜分隔成各個區域的步驟，在上述分隔背面電極薄膜的步驟中，所用激光束是從上述透光基片的另一主表面側照射的。

4、按照權利要求2所述的制造方法，其特征在于：在形成上述半導體薄膜和上述透明薄膜電極的步驟之間，有一個在上述各透明薄膜電極將要外露的地方有選擇地形成一絕緣絕熱層的步驟，而上述半導體薄膜形成在上述透光基片的一主表面側，并覆蓋住上述透明電極薄膜和上述絕緣絕熱層。

5、一種制造半導體器件的方法，包括下列步驟：

準備一透光基片;

在上述透光基片的一主表面側形成透明電極薄膜并將其分隔成各個區域;

在上述透光基片的一主表面側連續形成一層半導體薄膜，覆蓋住上述各個區域的透明薄膜電極;

在形成上述半導體薄膜之后立即連續形成一層背面電極薄膜，覆蓋住上述半導體薄膜;

用激光束照射上述透光基片，去掉被照射部位中的上述半導體薄膜和上述背面電極薄膜，從而將上述半導體薄膜和上述背面電極薄膜分隔成各個區域;其特征在于：上述激光束是從上述透光基片的另一主表面側照射的。

6、按照權利要求5所述的制造方法，其特征在于：在各個區域中的背面薄膜電極上連續形成一層連接電極薄膜，覆蓋住外露的透明薄膜電極;用激光束照射上述連接電極薄膜并去掉被照射部位的連接電極薄膜，從而將上述連接電極薄膜分隔成各個區域，在分隔上述連接電極薄膜的步驟中所用的激光束是從上述透光基片的另一主表面側進行照射的。

7、按照權利要求1、3、5和6中任一項所述的制造方法，其特征在于：上述激光束的波長從0.30微米到0.820微米的范圍內進行選擇。

8、按照權利要求7所述的制造方法，其特征在于：選擇上述激光束的波長近似為0.53微米。

9、一種制造半導體器件的方法，包括下列步驟：

準備一個透光基片;

在上述透光基片的一主表面側形成透明薄膜電極，并將其分隔成各個區域;

在上述透光基片的一主表面側形成一層主要由非晶硅組成的具有光電轉換功能的半導體薄膜;

在上述半導體薄膜上形成一層背面電極薄膜;

用激光束照射上述透光基片，并去掉被照射部位的上述半導體薄膜和背面電極薄膜，從而將上述半導體薄膜和上述背面電極薄膜分隔成各個區域;

在上述背面電極薄膜上形成連接電極薄膜;

用激光束照射上述連接電極薄膜，并除去被照射部位中的連接電極薄膜，從而把上述薄膜分隔成各個區域;其特征在于：上述各步中所用的激光束是從上述透光基片的另一主表面側進行照射的。

10、一種制造線性光敏元件的方法，其特征在于：把半導體薄膜和電極薄膜分隔成各個區域所用的激光束是從上述透光基片的另一主表側照射的。