[其他]金屬—氧化物—半導體后部工藝無效
| 申請號： | 85104650 | 申請日： | 1985-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN1003965B | 公開（公告）日： | 1989-04-19 |
| 發明（設計）人： | 利奧波杜;羅伯特;肯尼思;吉克;戴維 | 申請（專利權）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌 |
| 地址： | 美國加里*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發明可以減少導電層在光刻、合金及鈍化過程中形成的缺陷，在光刻以及溫度高于２００℃的工藝之前，利用低溫旋涂的方法在導電層上形成一個有色的玻璃層，通過在導電層上形成一個復合層的方法完成氣密鈍化，此復合層由兩部分組成：下層為張力層，上層為壓縮層，整個鈍化層呈現凈張力特性。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 氧化物 半導體 后部 工藝 | ||
【主權項】：
暫無信息
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于英特爾公司，未經英特爾公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/patent/85104650/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：相變材料存貯器件
- 下一篇：金屬氧化物半導體絕緣工藝
- 同類專利
- 專利分類
