[其他]金屬—氧化物—半導體后部工藝

無效

• 申請號: 85104650
• 申請日: 1985-06-15
• 公開（公告）號: CN1003965B
• 公開（公告）日: 1989-04-19
• 發明（設計）人: 利奧波杜;羅伯特;肯尼思;吉克;戴維
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖掬昌

1、在半導體本體上形成具有經刻圖、經合金的導電層的工藝，包括在所說半導體本體上淀積金屬導電層，其特征在于該工藝還由下列步驟組成：

A.在所說導電層上利用低溫旋涂法淀積一層含有染料的玻璃層;

B.任何光刻所說導電層圖形和溫度超過200℃的工藝都要在所說低溫旋涂玻璃層的所說淀積之后進行。

2、根據權利要求1的規定的工藝，其特征在于所說導電層為鋁層。

3、根據權利要求1所規定的工藝，其特征在于所說旋涂玻璃層厚度約為800-5000埃。

4、在硅襯底上形成具有經刻圖、經合金的導電層的工藝，其特征在于工藝由下列步驟組成：

在所說硅襯底上淀積一層金屬導電層;

在所說導電層上利用旋涂形成一層玻璃層，所說旋涂玻璃層含有染料;

利用光刻技術刻出所說導電層的圖形，而且任何光刻所說導電層圖形和溫度超過200℃的工藝都要在所說低溫旋涂玻璃層的所說淀積之后進行;

將所說硅襯底加熱到足以使所說導電層和所說硅襯底成合金的溫度。

5、根據權利要求4所規定的工藝，其特征在于所說導電層是鋁層。

6、根據權利要求5所規定的工藝，其特征在于所說旋涂玻璃層厚約800至5000埃。

7、根據權利要求6所規定的工藝，其特征在于所說硅襯底被加熱到至少約200℃。