[其他]半導體工藝無效
| 申請號： | 85104071 | 申請日： | 1985-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN85104071A | 公開（公告）日： | 1986-11-26 |
| 發明（設計）人： | 彼得·戴維·格林;丹尼爾·塞吉斯芒多·奧托·倫納 | 申請（專利權）人： | 標準電話電報公共有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 陳景俊 |
| 地址： | 英國倫敦WC*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于制造半導體器件特別是但不只是Inp/InGaAsP低閾值半導體激光器的質量傳遞工藝，包括生長材料蓋片(18)靠近要生長材料的半導體晶片(15)的安排，它們與晶狀鹵化堿(20)一起在坩堝(16)內的布置和坩堝的加熱，加熱時在氫氣流中，幾乎是但不完全是密封的。在制造InP/InGaAsP激光器和生長InP時，鹵化堿可以是KI、RbI或CsI，并且可將一定量的In金屬(21)放在坩堝(16)里，以控制確定激光器有源區的InP的生長與InP從晶片其他區域腐蝕之間的平衡。生長是在與液相外延工藝相似的溫度下進行的。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 工藝 | ||
【主權項】：
1、供制造半導體器件用的質量傳遞工藝，其特征是在一未密封的坩堝(16、17)內放置要由質量傳遞生長材料的半導體晶片(15)，生長材料的蓋片(18)和晶狀鹵化堿(20)，然后將未密封的坩堝(16、17)于一溫度下，在還原氣體中加熱，其時間由所需求的生長量而定。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于標準電話電報公共有限公司，未經標準電話電報公共有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/patent/85104071/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：潮汐電站可逆式水輪泵及其蓄能運行方法
- 下一篇：導管中開口銷組件的替換
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
