[其他]半導體工藝

無效

• 申請號: 85104071
• 申請日: 1985-05-28
• 公開（公告）號: CN85104071A
• 公開（公告）日: 1986-11-26
• 發明（設計）人: 彼得·戴維·格林;丹尼爾·塞吉斯芒多·奧托·倫納
• 申請（專利權）人: 標準電話電報公共有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 陳景俊

1、供制造半導體器件用的質量傳遞工藝，其特征是在一未密封的坩堝(16、17)內放置要由質量傳遞生長材料的半導體晶片(15)，生長材料的蓋片(18)和晶狀鹵化堿(20)，然后將未密封的坩堝(16、17)于一溫度下，在還原氣體中加熱，其時間由所需求的生長量而定。

2、如權項1所規定的質量傳遞工藝，其特征在于要生長的材料是I_nP。

3、如權項1或權項2所規定的質量傳遞工藝，其特征是在于鹵化堿（20）是碘化堿。

4、如以上任何一個權項所規定的一質量傳遞工藝，其特征是在于還原氣體是氫氣。

5、如以上任何一個權項所規定的質量傳遞工藝，其特征在于坩堝（16、17）是石墨做的。

6、如權項2所規定的質量傳遞工藝，其特征在于坩堝（16、17）是石墨做的，還原氣體是氫氣，而且在坩堝（16、17）里放置一定量的金屬銦（21），用以控制晶片（15）預定范圍內材料的生長與晶片（15）其他范圍內腐蝕之間的平衡。

7、如權項3或權項6所規定的質量傳遞工藝，其特征在于晶狀鹵化堿（20）是KI、RbI、或CsI。

8、如權項2所規定的質量傳遞工藝和用InP/InGaAsP系統制造質量傳遞埋層異質結構激光器所用的質量傳遞工藝，其特征在于鹵化堿（20）是KI，坩堝（16、17）是石墨做的，而且幾乎是但不完全是密封的，以及還原氣體是氫氣。

9、如權項8所規定的質量傳遞工藝，其特征在于坩堝（16、17）內放置一定量的金屬銦，從而控制晶片（15）預定范圍內I_nP的生長與晶片（15）其它范圍內腐蝕之間的平衡，并且在大約660℃的溫度下，加熱坩堝（16、17）。