【主權(quán)項(xiàng)】：

1、在一半導(dǎo)體基片表面上構(gòu)成的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元，上述單元包括：在上述表面的溝道區(qū)上帶有源-漏通路的存取晶體管，在溝道區(qū)上用一層薄柵氧化物分開(kāi)的金屬柵；包括表面上延長(zhǎng)N+層的位線，晶體管的漏極是上述N+層的一個(gè)邊；沿垂直于上述位線的表面延伸的金屬字線，上述金屬柵是該字線的一部分；用覆蓋位線的厚的熱場(chǎng)氧化膜與字線隔開(kāi)的位線的N+層；位于上述表面上，包括蝕刻在表面上的槽和環(huán)繞槽的N+層的電容器區(qū)，用一層厚的熱場(chǎng)氧化物覆蓋上述N+層；熱場(chǎng)氧化物層環(huán)繞槽，槽嵌在圍繞它的N+層中；包括蓋在覆蓋電容區(qū)、位線和除晶體管溝道區(qū)之外的各區(qū)的表面上的導(dǎo)電層的場(chǎng)極電極，導(dǎo)電層還向下擴(kuò)展到槽中構(gòu)成電容器的陽(yáng)極，在槽中用薄氧化膜與硅隔開(kāi)。