[其他]高密度動態隨機存取存儲器(RAM)的槽式電容器的制造方法

無效

• 申請號: 85103830
• 申請日: 1985-05-11
• 公開（公告）號: CN85103830A
• 公開（公告）日: 1986-11-05
• 發明（設計）人: 戴維·A·巴格利;羅納德·帕克
• 申請（專利權）人: 得克薩斯儀器公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L29/78;H01L21/02;G11C11/40;G11C11/24
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 李先春

1、在一半導體基片表面上構成的動態存儲單元，上述單元包括：

在上述表面的溝道區上帶有源-漏通路的存取晶體管，在溝道區上用一層薄柵氧化物分開的金屬柵；

包括表面上延長N+層的位線，晶體管的漏極是上述N+層的一個邊；

沿垂直于上述位線的表面延伸的金屬字線，上述金屬柵是該字線的一部分；

用覆蓋位線的厚的熱場氧化膜與字線隔開的位線的N+層；

位于上述表面上，包括蝕刻在表面上的槽和環繞槽的N+層的電容器區，用一層厚的熱場氧化物覆蓋上述N+層；

熱場氧化物層環繞槽，槽嵌在圍繞它的N+層中；

包括蓋在覆蓋電容區、位線和除晶體管溝道區之外的各區的表面上的導電層的場極電極，導電層還向下擴展到槽中構成電容器的陽極，在槽中用薄氧化膜與硅隔開。

2、根據權利要求1，存儲單元的場極電極用一氧化硅膜和氮化硅膜與除電容器區和位線以外的各表面隔開。

3、根據權利要求1，在存儲單元中，沿上述表面用溝道區把電容器區與漏極區隔開，電容器區中的N₊層構成晶體管的源極。

4、根據權利要求1，存儲單元中，位線上面的場氧化膜厚度與電容器區的場氧化膜厚度大致相等。

5、根據權利要求1，存儲單元中，場極電極上的絕緣層填平槽，構成金屬字線的水平表面。

6、根據權利要求1，存儲單元中，槽的寬度不大于1微米，深度至少二倍于寬度。

7、根據權利要求1，存儲單元中，基體是P型硅，金屬字線是鉬，導電層是多晶硅。

8、在半導體基片的表面上制出存儲單元的方法，包括下述工序：

在露出位線區和電容器區的圖案成形表面上鍍一層氧化物掩模;

向位線區和電容器區的表面中注入雜質，生成重摻雜區，注入是用氧化物掩模屏蔽的;

屏蔽上述表面，只露出上述表面的電容器區的一部分;

蝕刻這一部分的表面，做出深度大于寬度的槽，第一次蝕刻的深度僅低于重摻雜區，接著是在重摻雜區內和環繞槽生長熱氧化物的工序，然后第二次蝕刻工序蝕去槽的其余深度部分;

在位線區和電容器區的表面上生長一層厚的熱氧化物，雜質造成的重摻雜層位于熱氧化物之下，在槽中生長的熱氧化物要在重摻雜區生長的薄得多;

在擴展到槽中的表面上鍍一層導電層，用絕緣涂層與基體隔開;

在位線區和電容器區之間的溝道區中的導電層上開一個孔;

在上述表面上沉積一層導體并使導體形成圖案，留下孔中的晶體管柵和沿垂直于位線擴展的字線。

9、根據權利要求8的方法，基體是硅，導電層是多晶硅，導體是鉬，雜質為N型。

10、根據權利要求8的方法，氧化物掩模是氮化硅，氧化硅留在除位線區、電容器區和溝道區以外的導電層下面的表面上。

11、根據權利要求8的方法，包括在生長熱氧化膜的工序之后，只從溝道區除去氧化物掩膜的工序，留下導電層之下的氧化物掩模。

12、根據權利要求8的方法，包括在鍍導電層之后用絕緣材料填平槽的工序。

13、根據權利要求8，本方法中，基體是P型硅，導體是金屬，雜質為N型;包括在生長熱氧化膜之后只從溝道區除去氧化物掩模的工序。

14、根據權利要求8的方法中，氧化物掩模是氮化硅，氮化硅留在除位線區、電容器區和溝道區之外的導電層之下的表面上。