[其他]采用氮族元素聚合物半導體的薄膜場效應晶體管無效
| 申請號： | 85103742 | 申請日： | 1985-05-16 |
| 公開（公告）號： | CN85103742A | 公開（公告）日： | 1986-11-19 |
| 發明（設計）人： | 劉易斯A·邦茨;羅澤利·莎赫特;馬塞羅·維斯高里歐斯 | 申請（專利權）人： | 斯托弗化學公司 |
| 主分類號： | H01L29/76 | 分類號： | H01L29/76 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 張衛民,郁玉成 |
| 地址： | 美國紐約*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 薄膜場效應管用MPX做開關半導體，M是至少一種堿金屬，P是至少一種氮族元素，X從15到無窮。公開的金屬絕緣半導體和金屬半導體場效應管中半導體可摻0.5％的鎳、鐵或銘而不增加導電率也可摻雜0.5-1％以增加導電率。源與漏極下的區域摻雜2-3％以提供良好電接觸。絕緣層最好用P3N5以保持材料的化學連續性，氮族元素最好在有過剩P4的氬氣氛中用射頻等離子濺射法淀積，P3N5也用P4但在氮氣氛中由該方式淀積，各層相鄰時不必打開真空即可完成淀積。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 采用 元素 聚合物 半導體 薄膜 場效應 晶體管 | ||
【主權項】：
1、一個薄膜晶體管包括，在其中作為開關半導體部份的一層MPx薄膜，其中M是至少為一種堿金屬，P是至少為一種氮族元素，并且x的范圍大體上是在15至無窮大之間。
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