[其他]采用氮族元素聚合物半導(dǎo)體的薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 85103742
• 申請(qǐng)日: 1985-05-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN85103742A
• 公開(kāi)（公告）日: 1986-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉易斯A·邦茨;羅澤利·莎赫特;馬塞羅·維斯高里歐斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 斯托弗化學(xué)公司
• 主分類號(hào): H01L29/76
• 分類號(hào): H01L29/76
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部
• 代理人: 張衛(wèi)民,郁玉成

1、一個(gè)薄膜晶體管包括，在其中作為開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體部份的一層MPx薄膜，其中M是至少為一種堿金屬，P是至少為一種氮族元素，并且x的范圍大體上是在15至無(wú)窮大之間。

2、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)1所定義的薄膜晶體管，其中所述晶體管是一個(gè)MESFET。

3、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)1所定義的薄膜晶體管，其中所述晶體管是一個(gè)MISFET。

4、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)1所定義的薄膜晶體管以及一個(gè)與所述MP_X薄膜接觸的薄膜絕緣層。

5、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)4所定義的薄膜晶體管，其中所述絕緣層基本由S_iO₂構(gòu)成。

6、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)4所定義的薄膜晶體管，其中所述絕緣層基本由Al₂O₃構(gòu)成。

7、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)4所定義的薄膜晶體管，其中所述絕緣層基本由S_i3N₄構(gòu)成。

8、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)4所定義的薄膜晶體管，其中所述絕緣層包括一種含有氮族元素的化合物。

9、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)4所定義的薄膜晶體管，其中所述絕緣層基本由一種含有氮族元素的化合物構(gòu)成。

10、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)4所定義的薄膜晶體管，其中所述絕緣層包括至少一種化合物該化合物含有氮和至少一種其它的氮族元素。

11、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)4所定義的薄膜晶體管，其中所述絕緣層包括P₃N₅，這里N是氮而P是至少一種氮族元素。

12、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)11所定義的薄膜晶體管，其中在所述P₃N₅中的上述P包括磷。

13、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)11所定義的薄膜晶體管，其中在所述P₃N₅中的上述P基本由磷構(gòu)成。

14、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)4所定義的薄膜晶體管，其中所述絕緣層基本由P₃N₅構(gòu)成，這里N是氮而P是至少一種氮族元素。

15、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)14所定義的薄膜晶體管，其中在所述P₃N₅中的上述P包括磷。

16、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)14所定義的薄膜晶體管，其中在所述P₃N₅中的上述P基本由磷構(gòu)成。

17、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)1所定義的薄膜晶體管，其中所述半導(dǎo)體部份包含少量的一種金屬以減少在帶隙中缺陷能級(jí)的密度。

18、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)17所定義的薄膜晶體管，其中所述金屬是選自包括鐵、鉻和鎳的一組元素。

19、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)17所定義的薄膜晶體管，其中所述金屬的存在基本上未減少所述半導(dǎo)體部份的電阻率。

20、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)19所定義的薄膜晶體管，其中所述金屬包括實(shí)質(zhì)上少于0.5%的所述半導(dǎo)體部份的原子。

21、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)20所定義的薄膜晶體管，其中所述金屬是選自包括鐵、鉻和鎳的一組元素。

22、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)21所定義的薄膜晶體管，其中所述金屬是鎳。

23、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)1所定義的薄膜晶體管，其中所述半導(dǎo)體部份包含少量的一種金屬以使所述半導(dǎo)體部份至少在一個(gè)局部實(shí)質(zhì)性地增加電導(dǎo)率。

24、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)23所定義的薄膜晶體管，其中所述金屬是選自包括鐵、鉻和鎳的一組元素。

25、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)23所定義的薄膜晶體管，其中所述金屬包括實(shí)質(zhì)上多于0.5%的所述半導(dǎo)體部份的所述局部的原子。

26、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)25所定義的薄膜晶體管，其中所述金屬包括實(shí)質(zhì)上多于1%的所述半導(dǎo)體部份的所述局部的原子。

27、一個(gè)如權(quán)項(xiàng)26所定義的薄膜晶體管，其中所述局部與所述晶體管的一個(gè)金屬層相鄰并與之接觸。