[其他]半導體器件的制造方法無效

申請號：	85103578	申請日：	1985-05-08
公開（公告）號：	CN85103578B	公開（公告）日：	1988-08-10
發明（設計）人：	阿佩爾斯;馬斯	申請（專利權）人：	菲利浦光燈制造公司
主分類號：	H01L21/02	分類號：	H01L21/02;H01L21/31;H01L23/52;H01L21/90
代理公司：	中國專利代理有限公司	代理人：	吳秉芬,肖春京
地址：	荷蘭艾***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：	用自對準方法在一開口內形成半導體區域和金屬接觸區，通過一絕緣材料(15)把金屬區與沿著多晶連接部分邊緣的開口相隔開，所形成的防護層保持在開口內，直到從多晶硅半導體材料的均勻層中，以各向導性刻蝕法形成所述的連接部分。該方法適用于雙極型晶體管和場效應晶體管的制造。
搜索關鍵詞：	半導體器件制造方法
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【主權項】：

1.一種制造半導體器件的方法，在這種制造方法中，沿半導體本體上絕緣層的開口中至少有一側邊緣形成至少一部分的互連圖案，而在開口內，未被該部分互連圖案覆蓋的半導體表面至少部分暴露出來，而部分互連圖案上備有絕緣材料，在下一步工序中，這些絕緣材料形成掩模的一部分，半導體器件至少在開口的面積上被質地均勻的第一層半導體材料所覆蓋，其特征是第一層半導體材料由很均勻的一層防氧化材料所覆蓋，然后有選擇地去掉至少在開口外邊的防氧化材料，將暴露出來半導體材料做部分厚度氧化，隨后，在開口內去掉防氧化材料，再用各向異性腐蝕法去掉第一層半導體材料，至少把屬于互連圖案上的部分第一層半導體材料沿開口邊緣保留下來。

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