[其他]半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 85103578
• 申請日: 1985-05-08
• 公開（公告）號: CN85103578B
• 公開（公告）日: 1988-08-10
• 發明（設計）人: 阿佩爾斯;馬斯
• 申請（專利權）人: 菲利浦光燈制造公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/31;H01L23/52;H01L21/90
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 吳秉芬,肖春京

1、一種制造半導體器件的方法，在這種制造方法中，沿半導體本體上絕緣層的開口中至少有一側邊緣形成至少一部分的互連圖案，而在開口內，未被該部分互連圖案覆蓋的半導體表面至少部分暴露出來，而部分互連圖案上備有絕緣材料，在下一步工序中，這些絕緣材料形成掩模的一部分，半導體器件至少在開口的面積上被質地均勻的第一層半導體材料所覆蓋，其特征是第一層半導體材料由很均勻的一層防氧化材料所覆蓋，然后有選擇地去掉至少在開口外邊的防氧化材料，將暴露出來半導體材料做部分厚度氧化，隨后，在開口內去掉防氧化材料，再用各向異性腐蝕法去掉第一層半導體材料，至少把屬于互連圖案上的部分第一層半導體材料沿開口邊緣保留下來。

2、根據權利要求1的方法制造雙極型晶體管，其特征在于通過所說的掩模對基極摻雜和發射極摻雜都起作用。

3、根據權利要求1的方法制造場效應晶體管，其特征是在開口內的半導體表面要先提供以一層場氧化物。

4、根據權利要求3中所講的方法，其特點是通過所說的掩模對源極區摻雜起作用。

5、根據權利要求2所講的方法，其特征是掩模同時又起接觸掩模的作用。

6、根據權利要求4的方法，其特征是掩模同時又起接觸掩模的作用。

7、根據權利要求1到6中任一項所述的方法，其特征是各向異性刻蝕處理的方法是，把需要提供的那一層材料與等離子體的組成部分相接觸。

8、根據權利要求1～7中任一項所述的方法所獲得的器件。