[其他]抗輻射半導體器件無效
| 申請號： | 85103269 | 申請日： | 1985-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN85103269B | 公開（公告）日： | 1987-02-04 |
| 發明（設計）人： | 櫻井博司 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | H01L29/167 | 分類號： | H01L29/167 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 肖春京,張衛民 |
| 地址： | 日本東京都千代*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發明涉及抗輻射半導體器件，其電特性不會由于射線輻照而退化。本發明提出用以確定某種導電類型而摻入半導體內的雜質應選用同一元素的熱中子吸收截面較小的那種同位素，例如，用原子質量數為11的硼原子作為受主雜質，用原子質量數為123的銻Sb作為施主雜質。當用射線輻照時，該雜質所經受的原子核反應大大小于其它同位素，所以，其雜質濃度變化甚小，電特性也不會發生變化。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 輻射 半導體器件 | ||
【主權項】：
1.抗輻射半導體器件包括：a)、一半導體基片，它包括一種導電類型的至少一個區和另一種相反導電類型的至少一個區；b)、分別與一種導電類型所說的區及相反導電類型所說的區保持歐姆接觸的電極，其特征在于，上述兩個所說的區域中至少有一個是摻雜了決定其導電類型的雜質，所說的雜質是指同一元素的各種同位素中熱中子吸收截面較小的那種同位素，并經富集化了的。
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