[其他]抗輻射半導體器件無效
| 申請號： | 85103269 | 申請日： | 1985-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN85103269B | 公開（公告）日： | 1987-02-04 |
| 發明（設計）人： | 櫻井博司 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | H01L29/167 | 分類號： | H01L29/167 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 肖春京,張衛民 |
| 地址： | 日本東京都千代*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 輻射 半導體器件 | ||
【權利要求書】：
1、抗輻射半導體器件包括：
a）、一半導體基片，它包括一種導電類型的至少一個區和另一種相反導電類型的至少一個區;
b）、分別與一種導電類型所說的區及相反導電類型所說的區保持歐姆接觸的電極，其特征在于，上述兩個所說的區域中至少有一個是摻雜了決定其導電類型的雜質，所說的雜質是指同一元素的各種同位素中熱中子吸收截面較小的那種同位素，并經富集化了的。
2、根據權利要求1的一種抗輻射半導體器件，其中所說的用以確定某種導電類型的雜質是熱中子吸收截面較小的那種同位素，是從原子質量數為11的硼B、原子質量數為69的鎵Ga和原子質量數為113的In構成的那一組元素中選定的一種元素。
3、根據權利要求1的一種抗輻射半導體器件，其中所說的用以確定另一種相反導電類型的雜質是熱中子吸收截面較小的那種同位素，是原子質量數為123的銻Sb。
4、根據權利要求2的一種抗輻射半導體器件，用以確定另一種相反導電類型的雜質是從磷P和鉍Bi構成的那一組元素中選定的一種元素。
5、根據權利要求3的一種抗輻射半導體器件，其中，用以確定某一導電類型的雜質是鋁A1。
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