[其他]高能級(jí)磁控濺射離子鍍技術(shù)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85102600 | 申請(qǐng)日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN85102600B | 公開（公告）日： | 1988-02-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳寶清;朱英臣;王玉魁;王斐杰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 大連工學(xué)院 |
| 主分類號(hào)： | C23C14/34 | 分類號(hào)： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 大連工學(xué)院專利事務(wù)所 | 代理人： | 修德金 |
| 地址： | 遼寧省大*** | 國(guó)省代碼： | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 高能級(jí)磁控濺射離子鍍技術(shù)是在具有一個(gè)工件負(fù)高壓電源的磁控濺射離子鍍裝置中實(shí)現(xiàn)的。該離子鍍工藝使鍍膜有一個(gè)靶材(膜材)元素和基材元素共存的過渡層；鍍膜中能出現(xiàn)靶材元素和基材元素組成的化合物相和固溶體相；多輝光高能級(jí)磁控濺射離子鍍技術(shù)，進(jìn)一步擴(kuò)展了鍍膜過渡層，并能沉積多層次鍍膜、多元素鍍膜以及反應(yīng)鍍膜。上述技術(shù)可以滿足對(duì)表面的不同性能的要求。該項(xiàng)技術(shù)還具有節(jié)約能源，無(wú)公害等優(yōu)點(diǎn)。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 能級(jí) 磁控濺射 離子鍍 技術(shù) | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、一種用于在金屬基工件上鍍覆金屬的高能級(jí)磁控濺射離子鍍工藝，包括：(1)將工件(8)置于真空室(1)中(2)將真空室的真空度調(diào)至1.33×10-2帕斯卡(3)向真空室充氬氣，使真空度達(dá)到2.67×10-1帕斯卡(4)接通濺射電源(5)，使濺射靶的工作電壓為600伏，工作電流為15安培其特征在于在濺射過程中利用一個(gè)適合于磁控濺射條件下工作的負(fù)高壓電源(9)對(duì)工件(8)加偏壓，實(shí)現(xiàn)離子鍍工藝。
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- 專利分類
C23 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 防止技術(shù)開啟的鎖具新技術(shù)
- 技術(shù)評(píng)價(jià)裝置、技術(shù)評(píng)價(jià)程序、技術(shù)評(píng)價(jià)方法
- 防止技術(shù)開啟的鎖具新技術(shù)
- 視聽模擬技術(shù)(VAS技術(shù))
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- 用于監(jiān)測(cè)技術(shù)設(shè)備的方法和用戶接口、以及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)
- 用于監(jiān)測(cè)技術(shù)設(shè)備的技術(shù)
- 技術(shù)偵查方法及技術(shù)偵查系統(tǒng)
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