[其他]高能級磁控濺射離子鍍技術

無效

• 申請號: 85102600
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85102600B
• 公開（公告）日: 1988-02-03
• 發明（設計）人: 陳寶清;朱英臣;王玉魁;王斐杰
• 申請（專利權）人: 大連工學院
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 大連工學院專利事務所
• 代理人: 修德金

1、一種用于在金屬基工件上鍍覆金屬的高能級磁控濺射離子鍍工藝，包括：

（1）將工件（8）置于真空室（1）中

（2）將真空室的真空度調至1.33×10^-2帕斯卡

（3）向真空室充氬氣，使真空度達到2.67×10^-1帕斯卡

（4）接通濺射電源（5），使濺射靶的工作電壓為600伏，工作電流為15安培

其特征在于

在濺射過程中利用一個適合于磁控濺射條件下工作的負高壓電源（9）對工件（8）加偏壓，實現離子鍍工藝。

2、根據權利要求1所述的工藝，其特征在于所施加的負偏壓為1000～2500伏，鍍覆時間為3～30分鐘。

3、根據權利要求2所述的工藝，其中所說的金屬基工件是鋼鐵基工件，所鍍的金屬包括鋁、銅、鈦、鉻、鎳、釩、鉬、鎢、鋅、鈮、鋯。

4、根據權利要求1所述的工藝，其特征在于所施加的負偏壓為750～2500伏，鍍覆時間為3～30分鐘。

5、根據權利要求4所述的工藝，其中所說的金屬基工件是有色金屬基工件，所鍍的金屬包括鋁、鈦、鉻、鎳、鋅、銅。

6、根據權利要求3或5所述的工藝，其特征在于多個靶位同時工作，所形成的鍍層是合金層。

7、根據權利要求1所述的工藝，其特征在于分階段調節所施加的偏壓。

8、根據權利要求7所述的工藝，其特征在于

第一階段負偏壓為1000～2500伏，鍍覆時間3～10分鐘。

第二階段負偏壓為300～700伏，鍍覆時間3～10分鐘。

第三階段負偏壓力為0伏，鍍覆時間5～20分鐘。

9、根據權利要求8所述的工藝，其中所說的金屬基工件包括鋼鐵基工件、鎳基工件，所鍍的金屬包括鋁、鎳、鉻、鈦、銅、銀、金、銅合金和不銹鋼。

10、根據權利要求9所述的工藝，其特征在于一個靶位單獨工作，形成的鍍膜是單層膜。

11、根據權利要求9所述的工藝，其特征在于多個靶位輪換工作，形成的鍍膜是多層膜。

12、根據權利要求7所述的工藝，其特征在于

第一階段負偏壓為1000～2000伏，鍍覆時間3～10分鐘。

第二階段負偏壓為300～500伏，鍍覆時間3～10分鐘。

第三階段負偏壓為0伏，鍍覆時間5～20分鐘。

13、根據權利要求12所述的工藝，其中所說的金屬基工件是鋼鐵基工件，所鍍的金屬是鋅和鋅合金。

14、根據權利要求7所述的工藝，其特征在于

第一階段負偏壓為1000～2000伏，鍍覆時間3～10分鐘

第二階段負偏壓為300～700伏，鍍覆時間3～10分鐘

第三階段負偏壓為0伏，鍍覆時間5～20分鐘。

15、根據權利要求14所述的工藝，其中所說的金屬基工件是有色金屬基工件，所鍍的金屬是鈦、鉻、鎳、銅、鋁、銀、金和不銹鋼。

16、一種用于在金屬基工件上鍍金屬的高能級磁控濺射離子鍍裝置，包括真空容器（1）、永久磁鐵（2）、陽極（3）、濺射靶（4）、濺射電源（5）、抽氣系統（6）、氬氣充氣（7）、基底（工件）（8）、輔助陽極（11）、柵極（12）、柵極負高壓電源（13）和柵極加熱電源（14），其特征在于裝置有一個適合于磁控濺射條件下工作的直流負高壓電源（9）作為工件的離子鍍電源。